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991.
BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果. 相似文献
992.
993.
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。 相似文献
994.
995.
基于DSP的半导体激光器电源设计 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种采用基于TMS 32 0F24 07型号DSP控制的半导体激光器电源的构成和原理,提出了一种新的自整定智能PID的优化算法,结合模块化的VICOR开关电源、DSP控制电路、信号采集、放大电路和保护电路等部分,从而实现半导体激光器的可靠运行和工作电流的稳定精确输出. 相似文献
996.
997.
提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制.在0.1~10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数,并可合理外推至20GHz,整个过程无需人工干预.算法用Matlab语言实现,可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取. 相似文献
998.
999.
为了减少传统数值分析法由于厚度谐振而引起的结果错误问题,实现异向介质高分析精度与高效率的共存,建立基于反向传播多层前馈型神经网络(BP神经网络)的异向介质电磁特性与介质敏感结构参数之间的神经网络模型,对异向介质的基本结构进行分析。实验结果表明,采用量化共轭梯度法的分析时间为145.535648 s,训练均方误差为0.00020679,所得结果与全波分析相吻合,满足工程要求。有效地克服了再次预测过程中提取参数的不稳定性,为异向介质的分析提供一种快速而准确的方法。 相似文献
1000.
现有输电线路行波故障测距方法由于受行波波速的不确定性以及输电线路弧垂的影响,容易出现较大的定位误差.为此,提出了一种无需波速和线路长度整定的线路故障行波定位方法.利用线路两端的行波信号检测装置记录故障电压行波波头到达时间,同时根据电压行波折反射过程中的传播路径列出关于距离、速度和时间的方程组,经过数学变换可以消去线路弧垂的影响,并在线路上实时在线测量行波速度.用PSCAD软件对双端结构的输电线路进行了仿真,实验结果表明该方法具有好的适应性,在实际测距中对线路电气参数依赖性低,不受故障类型,故障位置和过渡电阻等因素的影响,定位误差较小,原理简单,具有较高的准确性和良好的适用性. 相似文献