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详细介绍CLC5958的内部结构和基本用法。提出一种基于FPGA和PCI总线的高速数据采集卡设计方案,并通过仿真验证了该方案的可行性。该采集卡的采集速度快,精度高,结构简单,扩展方便,抗干扰能力强,适用于高速智能仪器和其他高速数据采集场合。 相似文献
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本文阐述了使用CPLD实现通用PCI扩展总线桥的设计方法,并且介绍了用verilog HDL语言进行PCI总线目标模块设计的方案,重点叙述了PCI扩展总线桥逻辑设计和verilog HDL实现模块的设计,最后给出了PCI扩展总线桥的仿真时序图。 相似文献
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降水粒子的成像探测技术及仪器初探 总被引:1,自引:1,他引:1
降水粒子识别在天气现象的自动观测、人工影响天气及天气雷达定标等领域有重要应用。针对降水粒子的形状测量,总结了两种成像探测仪器的原理、主要技术指标、功能及应用情况;提出一种基于线阵CCD的降水粒子狭缝摄像方法,分析了CCD对降水粒子的线扫描过程及粒子形状获取过程;构建了降水粒子测量的光学系统,成像系统采用远心光路以提高测量精度,照明系统采用克拉照明以获得均匀照明;最后分析了待解决的问题。 相似文献
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研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流. 相似文献
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极紫外光刻(EUVL)技术是目前193 nm浸没式光刻技术的延伸,有望突破30 nm或更小技术节点而成为下一代光刻(NGL)技术的主流。毛细管放电极紫外(EUV)光源可为极紫外光刻研究提供高效、便捷的光刻源头,但光源的辐射功率较低一直制约着极紫外光刻技术的发展。三线毛细管放电极紫外光源的概念设计与常用毛细管装置有着本质的区别,它们不同的工作机制将使三线毛细管放电产生的环带状等离子体极紫外光源的辐射功率明显高于常用毛细管的情形,最佳收集角也得到相应的提高。三线毛细管概念设计方案的提出不仅从技术上开拓出一片全新的领地,为极紫外光刻研究提供所需的光源,而且从效益上看更适合于大规模工业生产。 相似文献
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胡琳 《信息技术与信息化》2007,(5):94-95
分布式数据处理方式代表了一种更加和谐的数据处理理念,本文总结了集总式数据处理方式的特点和局限性,分析了分布式数据处理方式的结构和特点,介绍了分布式数据处理方式的关键支撑技术,提出了集总式和分布式数据处理方式融合发展的方向。 相似文献