新型高效激光物质-Nd:YGdVO4混晶

液相法合成了GdVO4和YVO4多晶料,提拉法成功生长了低浓度掺钕的不同钆钇比YGdVO4混晶.X射线荧光分析法分析了晶体组分.吸收谱和透射谱显示,Nd:YGdVO4具有更大的吸收半宽.不同Gd/Y浓度比的晶体激光性能有所不同,最大1.06μm激光输出达到7W,同时晶体在1.34μm 的激光输出超过了3W.Nd:YGdVO4混晶是一种新的具有潜力的激光晶体.     

Nd∶NaY(WO4)2激光晶体生长

采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的Nd:NaY(WO4)2(简称Nd∶NYW)激光晶体,尺寸为20mm×30mm.通过TG-DTA差热分析得到晶体的熔点为1211℃,从XRD分析得到晶胞参数为a=b=0.5212nm ,c=1.1268nm ,晶胞体积V=0.3062nm3.讨论了Nd∶NYW晶体的生长工艺,给出了晶体生长的最佳工艺参数.通过比较Nd∶NaBi(WO4)2(简称Nd∶NBW)和Nd:NYW的XRD、红外光谱和拉曼光谱测试结果,认为二者结构基本相同,为四方晶系白钨矿结构、I(4)空间群.     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对 MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线。介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术 ,并对 2 5～ 45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

Analysis of electric boundary condition effects on crack propagation in piezoelectric ceramics

There are three types of cracks: impermeable crack, permeable crack and conducting crack, with different electric boundary conditions on faces of cracks in piezoelectric ceramics, which poses difficulties in the analysis of piezoelectric fracture problems. In this paper, in contrast to our previous FEM formulation, the numerical analysis is based on the used of exact electric boundary conditions at the crack faces, thus the common assumption of electric impermeability in the FEM analysis is avoided. The crack behavior and elasto-electric fields near a crack tip in a PZT-5 piezoelectric ceramic under mechanical, electrical and coupled mechanical-electrical loads with different electric boundary conditions on crack faces are investigated. It is found that the dielectric medium between the crack faces will reduce the singularity of stress and electric displacement. Furthermore, when the permittivity of the dielectric medium in the crack gap is of the same order as that of the piezoelectric ceramic, the crack becomes a conducting crack, the applied electric field has no effect on the crack propagation. The project supported by the National Natural Science Foundation of China (19672026, 19891180)     

多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

报道用SiF₄和H₂的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm^-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm^-1. 关键词： 多晶硅薄膜 低温生长 表面生长反应 外加偏压     

组合式片状激光放大器钕玻璃片参数的优化设计

 运用随时间变化的氙灯辐射光谱模型,建立了组合式钕玻璃片状激光放大器动态增益特性的模拟程序,实现了从氙灯放电到引出激光的全过程动态模拟。研究了钕玻璃片的两个重要参数厚度和掺杂浓度对增益性能的影响。在相同的泵浦强度下,储能通量由片厚度与掺杂浓度的乘积N₀D决定,在N₀D相同时得到相同的小信号增益。当N₀D比较小时,N₀D增加1倍时储能通量增加1.25倍,相应的单片放大器增益提高5.5%,对于7片长的放大器链,总的小信号增益将提高45%;当N₀D比较大时,储能通量趋于饱和。     

YVO_4晶体及其掺Nd的喇曼光谱

本文报道了对YVO4 晶体及其掺Nd的喇曼光谱的测量结果 ,用这些结果可以了解到这种材料的声子能谱情况 ,在与其它基质材料比较中可以看出它的特点是 :分立的低声子在 5 0 0～ 80 0cm-1之间有一个间隙 ,主要的部分分布在 80 0～ 90 0cm-1附近 ,根据群论分析可以得出各喇曼谱线相应的对称性 ,而且可看出这些喇曼谱线主要来源于VO3 -4 的振动。对这种不均匀分布的声子能谱对于其光谱性能可能产生的影响也作了分析讨论。测量结果还发现掺杂能抑制原有的高能声子。     

Transparent Boundary Conditions for Split-Step Padé Approximations of the One-Way Helmholtz Equation

In this paper, we generalize the nonlocal discrete transparent boundary condition introduced by F. Schmidt and P. Deuflhard (1995, Comput. Math. Appl.29, 53–76) and by F. Schmidt and D. Yevick (1997, J. Comput. Phys.134, 96–107) to propagation methods based on arbitrary Padé approximations of the two-dimensional one-way Helmholtz equation. Our approach leads to a recursive formula for the coefficients appearing in the nonlocal condition, which then yields an unconditionally stable propagation method.     

具有纳米级分辨率的超精密定位工作台

柔性铰链精密定位工作台具有直接传动、无摩擦、结构紧凑、重量轻、刚度好及分辨率高等优点。设计了一种具有较大传动比的定位工作台 ,介绍了其系统结构和工作原理 ,并对刚度性能作了分析。利用双频激光干涉仪对压电陶瓷驱动下的工作台特性进行了测量。结果表明 ,该工作台具有纳米级的分辨率和定位精度。     

一种非谐振式MEMS电磁能量收集器

介绍了一种新型非谐振式微电子机械系统(MEMS)电磁振动能量采集器的设计、微加工和表征测试.该能量收集器由MEMS结构、线圈、小型化NdFeB磁体和陶瓷基板组成.建立结构模型对结构固有频率、位移和应力进行仿真.利用MEMS技术制备能量收集器结构和Al线圈等关键部件,并结合嵌有永磁体的陶瓷基板进行组装,在组装过程中使用C...