有机小分子掺杂的聚合物发光二极管电致发光及其发射机制

在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件所发光的颜色.研究了PTPD掺杂Rubrene分子薄膜的电致发光光谱和光致发光光谱.由实验可知.在光致发光中存在从PTPD向Rubrene的能量传递和电荷转移,而电致发光则存在从PTPD向Rubrene的能量传递和Rubrene分子对载流子的俘获.即掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.     

p型ZnO薄膜制备的研究进展

ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此,阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面p型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜p型导电的有效措施。期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的p型ZnO薄膜的制备提供新思路。     

掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究

采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主. 利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.     

影响掺杂聚吡咯(PPy)导电性能的因素

综述了对掺杂聚吡咯的导电能力影响因素的研究成果。主要就溶剂、掺杂离子、合成温度对聚吡咯电导率的影响进行了深入的讨论。通过对各类试验结果和讨论的综合分析 ,以找出其一般性的规律 ,并依据得出的结论提出一些有望改善聚吡咯导电能力的措施     

赝形δ掺杂AIGaAs／InGaAds／GaAs量子阱的光致发光性质研究

测量了一系列不同隔离层（ｓｐａｃｅｒ）厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管（ｐＨＥＭＴｓ）量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了（ｅｌ－ｈｈ１）和（ｅ２－ｈｈ１）两人发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自治求解薛定谔方程和泊松方程以得出电子限制势、子带能极以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。     

掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响

掺杂焦磷酸的情况下降温生长了ＫＤＰ晶体,采用激光层析法对晶体的光散 观察,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧;晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同,其原因在于焦酸对ＫＤＰ晶体的锥面和锥面的影响不同。     

Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究

首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。     

用空间电荷限制电流法测定n型掺杂的BPhen的电子迁移率

摘 要 用空间电荷限制电流（SCLC）法测定了不同厚度（50-300nm）的Liq掺杂BPhen的电子迁移率。实验结果表明在33wt％Liq掺杂的BPhen中,当厚度达到150nm以后电子迁移率接近于体材料的迁移率。对于300nm厚的掺杂的BPhen,测定的电子迁移率约为5.4×10-3 cm2/Vs （电场强度为0.3MV/cm时）,比本征BPhen的迁移率（3.4×10-4 cm2/Vs）高约一个数量级,而且其迁移率基本上不依赖于电场。同时还对掺杂的BPhen为有机电致发光器件（OLED）的典型厚度时的电子迁移率进行了测定。     

中低温烧结超高耐压钛酸钡基BCTZ陶瓷材料的研究

采用传统固相反应法制备出Li~+和Na~+掺杂的(Ba_(1–x)Ca_x)(Zr_yTi_(1–-y))O_3(BCTZ)介电陶瓷材料,研究了助烧剂(Li~+和Na~+)在不同预烧和烧结温度下对BCTZ陶瓷材料相结构、介电性能和耐压特性的影响。结果表明:通过Li~+和Na~+的掺杂,BCTZ陶瓷材料均为纯钙钛矿结构,Li~+掺杂BCTZ陶瓷材料的最佳预烧温度为1250℃,烧结温度为1135℃,所得材料的相对介电常数εr为1051,介质损耗tanδ为2×10~(–4),直流击穿电压V_(DC)为15.5×10~3 V/mm,交流击穿电压V_(AC)为11.0×103 V/mm;Na~+掺杂BCTZ陶瓷材料的最佳预烧温度为1120℃,烧结温度为1135℃,所得材料的εr为1063,tanδ为4×10~(–4),V_(DC)为15.2×10~3 V/mm,V_(AC)为10.1×10~3 V/mm。     

量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响

从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.