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51.
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%. 相似文献
52.
CrN镀层的微粒磨损性能及其切削行为研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在Teer UDP 550型闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备上制备CrN镀层,以球-盘方法测定的比磨损率和微粒磨损法测定的微粒磨损率评价CrN镀层的耐磨性能,采用高速钢镀层钻头的钻孔数评价镀层的切削性能.结果表明,CrN镀层的微粒磨损率对氮流量(用光谱发射因子OEM值控制)的变化很敏感,而比磨损率却不能反映这种由于氮流量变化带来的镀层结构和性能的变化.在不同偏压条件下所制备的镀层微粒磨损率变化不明显.当微粒磨损率低于某一值时,CrN镀层的钻孔寿命明显提高,而比磨损率则无此规律. 相似文献
53.
54.
超临界水在倾斜光管中的传热不均匀特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对超(超)临界压力下水在倾斜光管内的传热特性进行了比较系统的实验研究.实验段管径为φ32×3mm,倾角α=20°;试验压力P=23~34MPa,内壁热负荷q=300~500kW/m2,管内质量流速G=300~2000kg/m2s.得到了不同工况下倾斜光管内壁温和管内换热系数的周向分布及其变化规律,考察了压力、质量流速及热负荷对倾斜光管内壁温度的周向分布的影响,重点分析了管内上下母线处内壁温度差随工质焓值变化的特性及机理,讨论了大比热区水的物性变化对倾斜光管内传热不均匀性的影响,并与亚临界压力下的对应实验结果进行了比较. 相似文献
55.
随着IP数据、话音和图像等多种业务传输需求的不断提高,现有以承载话音为主要业务的城域网在容量以及接口能力上都已经无法满足业务传输与汇聚的要求。以SDH为基础的多业务传输平台能够克服传统城域网的缺点,可以更有效地支持分组数据业务,并有助于实现从电路交换网向分组网的过度。介绍了MSTP的分类方法,给出了MSTP的分层结构,并对各功能模块的需求和特点进行了详细分析。 相似文献
56.
本文根据弱耦合函数理论,设计制作了圆波导TM0n到3cm波段矩形波导TE10模的选模定向耦合器用于高功率微波的测量系统,理论设计与实际测量结果与理论吻合较好 。 相似文献
57.
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。 相似文献
58.
59.
为验证已建立的现场可编程门阵列(FPGA)器件准实时寿命评价系统的工程合理性,进行了加速寿命试验的设计.验证试验的设计,考虑不同型号之间的可靠性差异,针对特定型号的Xilinx XCV600 FPGA样本,能够定位样本内部具体失效部位.针对FPGA高可靠性的特点,施加温度、电压和频率3种加速应力;针对FPGA使用环境多变的特点,构建了整套载荷数据跟踪与处理流程.试验方案通过硬件和软件系统实现,硬件系统进行FPGA工作环境的加载及准实时工作情况数据的采集,软件系统基于电迁移失效机理对采集到的数据进行处理得到寿命信息,将试验与预测结果进行比对完成验证.实践表明了该试验设计的可实施性,确认了部分系统预测结果的准确性. 相似文献
60.