系统HDI金属化阶梯板的研究和开发

在对系统HDI、混压阶梯板、控深铣、激光钻孔等PCB制作技术重点分析的基础上,设计了新的制作流程,实现了系统HDI板与金属化阶梯制作的集成,从而开发出了可应用于焊接各类功能模块的系统HDI金属化阶梯板。     

高多层Mini型金属化边PCB制作技术研究

多层Mini型金属化边PCB作为印制电路板的一种特殊产品,在电子元器件向轻、薄、短、小的发展要求下,而得到广泛应用。然而此类PCB在实际生产过程中仍有一些与普通PCB板制作的不同点。Mini型金属化边,顾名思义,就是指成品尺寸在30 mm×30 mm以下,且板边有小于6 mm长度的电镀金属化边,并且整个PCB的成型尺寸也十分小,没有定位孔,制作难高十分高,需要就包括制前设计、过程控制、成品铣板和成品尺寸测量等问题进行综合考虑。针对多层金属化边Mini型PCB的特征,从设计方法进行了详述,并对其制作技术难点分别提出了解决方案。可帮助读者清晰的了解此类产品的特性和制作方法,以为业者提供一些可以借鉴的行业经验。     

浅谈高温金属化聚丙烯膜交流脉冲电容器的设计

采用新型耐高温金属化聚丙烯膜材料作为介质和电极,采用高温绝缘环氧树脂灌封料进行封装,采用加严的制作工艺,设计出耐高温（上限类别温度为125℃）的金属化聚丙烯膜介质交流脉冲电容器,扩展了聚丙烯膜电容器的应用范围。     

树脂塞孔研磨过程中镀覆孔拐角露铜的探究

文章通过对树脂塞孔和树脂研磨的设计、制作和过程管控等方面进行优化,改善树脂塞孔板的金属化孔口铜厚不足及基材缺陷问题,防止后续镀铜后镀层分离报废产生,从而改善产品品质,提高客户满意度.     

电子束蒸发工艺中源飞溅的控制

采用电子束蒸发进行的背面金属化工艺中遇到的较为常见的问题,就是在蒸发过程中发生的蒸发源飞溅状况。这是影响工艺可靠性及稳定性的重要问题,如何通过工艺控制手段减少甚至杜绝此类问题的出现对实际生产是很有指导性意义的。文中对该问题产生的原因进行分析并展开讨论,并提出了相关控制措施。     

高场强下金属化膜电容器绝缘电阻特性

分析了高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻的特点,得出高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻是电容器介质膜泄漏和自愈过程的综合反映。针对高场强下的应用条件提出一种金属化膜电容器绝缘电阻的测试方法,并对高场强下电容器的绝缘电阻进行测试。测试结果表明:在300~400 V/m工作场强范围内金属化膜电容器绝缘电阻随工作场强增大会急剧减小,由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随场强增加会逐渐变缓;在20~50 ℃工作温度范围内,金属化膜电容器绝缘电阻随温度升高会急剧减小,同样由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随温度增高会逐渐变缓。分析得出,高温高场强下金属化膜电容器介质膜泄漏将会导致电容器电压出现明显下降,影响电容器和脉冲功率系统的储能效率。     

提高金属化薄膜电容器动态性能的有效途径

通过对金属化薄膜电容器电性能特别是损耗的机理分析 ,总结生产工艺对其性能的影响 ,提出改变热压聚合工艺参数和热压聚合方法 ,采用高压短路放电 ,高频下测 tgδ变化值 ,改善金属化薄膜电容器的动态性能     

薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响

讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响。试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构。     

低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。     

薄膜金属化LTCC基板的薄膜阻碍层对共晶焊的影响

讨论了LTCC工在板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的影响。实验结果表明,Ti/Ni是一种高可靠性的阻碍层,而且Ti/Ni/Au也是一种较理想的LTCC基板薄膜金属化结构。