AlN基板金属化技术的现状

金属化是ＡｌＮ基板走向实用化的关键技术，金属化膜的性能与可靠性直接关系到ＡｌＮ基板走向实用化的关键技术的情况。     

复合锌铝金属化薄膜简介

采用复合锌铝金属化聚丙烯薄膜的电容器在交流高压大电流下工作,容量和损耗几乎无变化,高可靠、长寿命、大容量交流电容器使用复合锌铝金属化膜是发展趋势。     

气隙对交流金属化电容器寿命的影响与措施

本文简明的叙述了金属化电容器残留在与生产气隙的原因，气体放电机理与危害以及填充式卷绕机对提高产品质量的功效。     

卧式金属化炉应用

7．8m卧式金属化炉用于陶瓷金属化制品的连续烧成。本文着重分析了该炉气路系统的进气点位置及其作用,通过调整各进气点气体流量及氢气、氮气配比,使窑炉所烧产品达到釉面光亮、金属化层无氧化、瓷体无花斑、无污染、颜色一致、封接强度高的目的。     

用于圆片级封装的金凸点研制

介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究.凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺.同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究.对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平.     

沉铜质量控制方法

化学镀铜（Electroless Plating Copper）俗称沉铜。印制电路板孔金属化技术是印制电路板制造技术的关键之一。严格控制孔金属化质量是确保最终产品质量的前提,而控制沉铜层的质量却是关键。日常用的试验控制方法如下：     

氮化铝陶瓷金属化技术的探讨

本文对目前常用的电子陶瓷(例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷)的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。     

AlN的厚膜铜金属化及其结合机理

采用反应厚膜法实现了AlN基板表面的铜金属化,借助SEM、XRD分别对烧结后的厚膜层、还原后的铜金属化层以及界面层的成分和形貌进行了研究;测试了不同烧结温度下金属化基板的敷接强度,并探究了界面层的形成过程以及对敷接强度的影响。结果表明:烧结过后,厚膜层的主要成分是CuO和Cu_2O;经过还原处理后,其表面成分转变为金属Cu;同时,随着烧结温度的上升,烧结后的厚膜层和还原后的金属化层的致密度均呈现先增加后降低的趋势,金属化铜层与基板之间的敷接强度也呈现相同的变化趋势。另外,在金属化铜层和AlN基板之间存在界面化合物,其主要成分是Cu_2O和中间化合物(CuAlO_2和CuAl_2O_4),其中,Cu_2O对敷接强度不利,而尖晶石结构的CuAl_2O_4和细小薄片状的CuAlO_2对敷接强度的有利。     

微波印制电路板加工工艺探索

本文主要结合当下微波通讯技术的迅猛发展——微波通讯设备日趋模块化、小型化、高密度化,简要阐述了微波印制电路板及其制作优势和缺点,如基材选用多样化、设计与制造的高精度化等.就微波印制电路板加工工艺,分别从选材、对生产环境适应性的要求、合理选用工艺流程、工程材料的处理和下料、钻孔和导通孔接地、图形转移、蚀刻与涂镀以及成型等方面进行了详细探讨.     

两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法

首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进.结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用.