MII录像机磁头特点的分析

磁记录技术首先在音频领域得到广泛应用，而后随着磁记录技术的发展，可记录信号频率的提高，磁记录技术在视频领域也得到广泛的应用。然而磁记录技术并未就此罢休，提高记录密度和改善记录信号的质量仍是不断探索的目标，为此当前出现了记录介质金属化的趋势，而与之相适应的则出现了金属磁头和局部填加金属的复合磁头。     

可增强压电加速计的电流仪表放大器

典型的压电传感器包含一片PZT-5A陶瓷材料的圆盘,在其表面有金属化电极.把导电环氧树脂涂到电极上,就可把外部导线连到传感器.绝缘粘合剂把组件连到待测结构,并把传感器和接地参考电位隔离开.圆盘面朝预期加速方向.     

抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgd

以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tgd 的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tgd 变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。     

先进复合材料金属化研究的必要性探讨

本文叙述了先进复合材料金属化的方法，测试了它们对3cm波段电磁波的反射特怀，碳纤维复合材料无需金属化可以满足X波段反射特性的要求。     

金属氢的高压合成机理

 从氢原子间及氢分子间的相互作用入手，提出了固体氢中氢分子在高压作用下解离为氢原子，并以氢原子相互结合成金属氢的微观转化过程的机理。用这样的转化机理，可以解释毛河光等关于固体氢的拉曼光谱频率随高压变化规律的实验结果。     

陶瓷金属化粉料粒度组成的研究

本文通过试验的方法对陶瓷金属化各粉料的粒度组成进行重新确定，以提高陶瓷金属表面质量，达到提高生产效率的目的。     

半导体光源器件的金属化耦合封装

本文介绍长波长光源器件的金属化耦合封装工艺,并通过工艺试验和生产实践,对采用新工艺制作的产品进行了可靠性考核,其结果表明这种工艺是成功的。尤其是采用YAG激光焊接技术,较好的解决了光纤定位工艺。     

聚四氟乙烯基材微带电路金属化连接技术

本文介绍了聚四氟乙基材微带电路金属化孔优良连接技术，该技术采用低温等离子体轰击聚四氟乙烯基材孔壁，改变孔壁表面活性的原理，得到优良的金属化孔。并提供该方法的工艺流程，同时阐述该技术具有广泛推广价值。     

超大规模集成电路的一些材料物理问题（I）——Cu互连和金属化

21世纪初，超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸将由150nm逐代缩至50nm。文章以100nmULSI器件为主，简要介绍与互连相关的一些材料物理问题，其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质。