AlN陶瓷的应用及其表面金属化

ＡｌＮ陶瓷由于其优良的导热性能，良好的高频性能及与ＢｅＯ相比无毒性，是一种很有潜力的微波功率器件用材料。ＡｌＮ陶瓷的许多应用都涉及到了陶瓷表面金属化技术及与金属接合技术，本文对ＡｌＮ陶瓷的应用、ＡｌＮ陶瓷表面金属化及其与金属接合技术的现状及发展进行了评述。     

TI欲选特许为其65nm节点产品代工

德州仪器公司（TI）日前正在调整其制造策略，特许半导体制造公司将成为其65nm生产的第三家代工企业。 联华电子已于今年3月宣布已经符合标准，可进行65nm生产，台积电则并计划在第三季度达到合格标准，特许将于明年中期达到合格标准。在130nm生产方面，上海中芯国际也在考虑范围之内，负责处理TI自有加工厂晶圆最后的金属化层工序。     

一种新颖的陶瓷基板金属化技术：DBC基板的原理及应用

本文论述了直接敷铜基板的基本原理，技术特点，及以该技术为基础开发的多层ＤＢＣ基板，三维ＤＢＣ基板，水冷ＤＢＣ基板以及ＤＢＣ气密封装产品，介绍了ＤＢＣ基板的应用领域。     

覆铜板微波集成电路孔金属化工艺

综述了当前微波集成电路各种孔金属化工艺的基础上，根据ＭＩＣ的特点，借鉴印制板电路制做工艺，选择了与ＭＩＣ工艺水平相适应的孔金属化工艺方案和先进配方，即采用先做图形后孔金属化的工艺流程；并选用了双络合剂的化学镀铜配方，取得了良好的效果，本文还对孔化工艺中有关问题及质量检测进行了讨论。     

用刀刃技术测SAW速度

本文介绍了一种激光探针(刀刃技术)测SAW速度的方法.用这种方法测量了s切一x传播石英晶片的自由表面SAA速度及金属化表面SAw速度。速度值的准确度优于1‰,精密度约为0.4‰。     

激光聚变主放大器能源系统述评

 评述了激光聚变主放大器能源系统的演变过程。在简要评述传统能源系统的基础上，重点指出目前正朝向建立大型的能源组件实现模块化的方向发展，以减少系统元件数目，降低造价。结合NIF和神光Ⅲ原型能源模块的设计思路，述评了减少元件数目、降低造价、建造大型储能模块，以及采用大容量转换开关所带来的技术挑战和解决办法。同时指出开展能源单元技术(包括性能、风险、价格)研究是十分必要的。     

Metallization of Cu3N Semiconductor under High Pressure

Using the four-probe method, we investigate the electrical conductivity of Cu3N under high pressure with the diamond anvil cell. Cu3N is a semiconductor at ambient pressure showing a band gap about l eV. With the application of quasi-hydrostatic pressures, its resistance decreases dramatically over five orders of magnitude from ambient to 9 GPa. The compound became a metal at pressure about 5.5 GPa, which is in well agreement with the recent first principle calculation.     

新型AI金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验，得到其中值寿命相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律。