聚丙烯腈表面金属化新方法的研究

以硼氢化钠（ＮａＢＨ４）水溶液还原聚丙烯腈（ＰＡＮ）／金属盐络合膜后，就可得到一种新的高分子表面金属化材料．其导电性能较好，表面电阻约为１０－１～１０Ω／□通过ＵＶ、ＩＲ等分析手段证实了在高聚物和金属离子之间存在络合作用。研究了影响表面电阻的因素。通过电镜和测量还原率、电子探针微区分析，证实了还原过程中存在离子迁移     

PCB插件孔散热焊盘设计对上锡影响

0引言 插件孔:即PCB通孔直插式元件与电路板连接的金属化孔(PTH),常规插件孔孔径公差要求为±0.075 mm,此类插件孔的孔需要焊接.也有一些要求为压接器件的插件孔,此类插件孔对孔径精度要求高,作用是直接将原件的引脚插进去,通过引脚与孔壁的接触导通电流,此类孔不需要焊接,常规压接插件孔孔径公差要求为±0.05 m...     

PCB孔铜断裂失效分析探讨

针对PCB在SMT后出现的通孔开路问题,本文结合孔铜断裂失效案例,通过CT、金相切片、SEM及热分析等分析手段来进行论证,分析PCB孔铜断裂的失效机理,并给出了预防控制建议.     

甲基吡啶侧链金属化和烷基化反应的研究

甲基吡啶侧链上的氢易于质子化被碱金属所取代,但传统的侧链金属化的方法,其实验操作都比较繁复。前文报道,吡啶与金属钠在乙醚回流中可形成吡啶自由基负离子钠络合物(C_5H_5N~-Na~ ),它是一种有效的金属     

微波MESFETs中金属—GaAs相互作用及接触退化

本文报道并回顾了中低功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ由于金属－ＧａＡｓ反应和接触退化造成失效的机理，这些结论是通过对不同工艺生产的商用器件进行深化和全面的可靠性评估实验得到的，结果表明：至少对于接触退化现象，这些生产工艺已经相当成熟，即使在最恶劣的使用条件和环境下，器件也达到了相当好的可靠性水平，某些厂家的器件仍然存在着可靠性问题，如：金基棚金属化向有源沟道的“沉陷”，Ａｌ的电徒动，被高接触电流密度加     

氢吸附导致的SiC表面金属化

文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC（001）-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC（001）-32表面金属化的一种新机制：通过形成氢桥键（Si-H-Si 复合结构）形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。     

金属化有机薄膜电容器的自愈机理及可靠性设计

金属化有机薄膜电容器在制造过程中由于金属化电极发生连续性自愈，致使制造工艺失控。根据自愈机理，采取控制外加压力和电压，恰当选择金属化膜方阻等措施，从而改善工艺，降低废品率。     

陶瓷-金属封接的化学镀镍工艺

讨论了陶瓷-金属封接中化学镀镍与电镀镍工艺及相互之间的区别。