锡基钎料与铜界面IMC的研究进展

对国内外电子封装"锡基钎料/铜基板"焊点体系界面IMC形成与生长机理的研究进展进行了回顾、评述,重点阐述了界面IMC的形成与生长行为、形成热力学和生长动力学,简要评述了相关因素对界面IMC生长行为的影响。最后,对无铅化电子封装互连焊点界面IMC研究的发展趋势进行了展望。     

硅通孔技术的发展与挑战

3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势.介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战.TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性.     

High‐Frequency Modeling and Optimization of E/O Response and Reflection Characteristics of 40 Gb/s EML Module for Optical Transmitters

A complete high‐frequency small‐signal circuit model of a 40 Gb/s butterfly electroabsorption modulator integrated laser module is presented for the first time to analyze and optimize its electro‐optic (E/O) response and reflection characteristics. An agreement between measured and simulated results demonstrates the accuracy and validity of the procedures. By optimizing the bonding wire length and the impedance of the coplanar waveguide transmission lines, the E/O response increases approximately 5% to 15% from 20 GHz to 33 GHz, while the signal injection efficiency increases from approximately 15% to 25% over 18 GHz to 35 GHz.     

堆叠封装技术进展

目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。     

一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装

介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装.针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M- MCM的混合集成.该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制.     

在线等离子清洗设备控制系统设计

作为一种精密干法清洗设备,等离子清洗机可以有效去除IC封装工艺过程中的污染物,改善材料表面性能,增加材料表面能量。与传统独立式的等离子清洗设备相比,在线式等离子清洗设备具有自动化程度高、清洗效率高、设备洁净度高、适应范围广等优点,适用于大规模全自动化生产。     

荧光粉浓度和电流强度对白光LED特性的影响

讨论了荧光粉浓度及驱动电流强度对白光LED特性的影响。采用软件模拟实验和实际封装测试相结合的研究方法进行分析研究。对荧光粉浓度变化对白光LED光通量和相关色温(CCT)的影响进行了三维光线追迹模拟,并且进行了实际的封装验证。另外对白光LED的节温和显色性也做了深入细致的研究。研究结果表明:CCT随着荧光粉浓度的增大而减小,光通量则先上升后下降。同时由荧光粉浓度和驱动电流强度变化所引起的节温升高会降低荧光粉的转换效率。对显色性而言,采用高浓度荧光粉封装的白光LED有相对低的显色指数;并且显色指数随着驱动电流强度的增加而升高,最终趋于稳定。     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。     

应用于三维封装中的硅通孔技术

随着集成电路日新月异的发展,当半导体器件工艺进展到纳米级别后,传统的二维领域封装已渐渐不能满足电路高性能、低功耗与高可靠性的要求。为解决这一问题,三维封装成为了未来封装发展的主流。文章简要介绍了三维封装的工艺流程,并重点介绍了硅通孔技术的现阶段在CSP领域的应用,以及其未来的发展方向。     

功率型LED封装用高分子材料的研究进展

随着发光二极管(LED)亮度和功率的不断提高,封装材料已成为制约LED进入照明领域的关键技术之一。对于功率型LED封装材料,要求具有高折射率、高透光率、高导热率、耐紫外、耐热老化、低应力、低吸水率等性能特点。目前LED封装用两大主要高分子材料是环氧树脂和有机硅复合材料。对这两种材料的改性主要集中在折射率、耐老化性、导热性、吸水性和力学性能等方面。脂环族环氧树脂及纳米有机硅复合材料作为高功率LED封装材料具有广阔的发展前景。