灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究

功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。     

MEMS开关封装结构热形变对芯片性能的影响

模拟了处在一定功率密度或不同温度下封装结构贴片的形变引起的X波段MEMS开关芯片的形变,从而导致的开关芯片性能的变化。用Coventor软件模拟出在开关衬底为200μm,贴片处功率密度为300pW/μm2时,开关芯片的形变量为0.142μm;开关衬底为300μm,温度为373K时,开关芯片的形变量为0.791μm。进一步用HFSS模拟出开关的插入损耗在中心频率10GHz处由封装前的0.042dB和0.022dB变化为封装后的0.078dB和0.024dB。     

残留农药残留量速测仪光电系统的实验研究

介绍了“残留农药速测仪”光电系统的设计依据。重点介绍单色光发生器的光学部件、光路系统和棱镜分光;另外介绍了光电转换器件的选择方法;最后用实验验证了对仪器的稳定性和重现性的影响。     

A Novel Sampling Switch Suitable for Low-Voltage Analog-to-Digital Converters

提出了一种适用于低电源电压的新型高线性度采样开关.与传统低电压采样开关相比,这种新型采样开关不仅消除了MOS开关由于栅源电压随输入信号变化所引入的非线性,而且进一步消除了MOS开关由于阈值电压随输入信号变化引入的非线性.这是通过采用一个与采样MOS开关具有相同阈值电压的"复制"开关得以实现的.基于Chartered 0.35μm标准CMOS工艺,文中设计了一个此类新型MOS采样开关,在输入信号为0.2MHz正弦波,峰峰值为1.2V,采样时钟频率为2MHz时,无杂散动态范围达到111dB,比栅压自举开关提高了18dB;同时导通电阻的变化减小了90%.这种新型采样开关特别适用于低电压,高精度模数转换器.     

CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率 下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。     

半行波半导体激光放大器超短光脉冲响应及开关特性的实验研究

本文对半行波半导体激光放大器的脉冲响应及开关特性进行了实验研究。脉宽为27ps,重复频率为1GHz的超短光脉冲串通过放大器后脉冲无展宽。当对放大器的注入电流进行调制时,放大器可起到高速光开关的作用。     

假火花开关初始放电过程的理论计算

假火花开关具有耐压高、放电电流大及电流上升速率快的优点。本文利用流体模型及当地场近似，对其放电过程进行了理论计算。结果表明，在放电初始阶段，空心阴极效应起关键作用。同时，对不同初始条件（初始电子、离子密度不同）及不同边界条件（开关结构尺寸不同）的放电过程进行了计算。给出了放电时间、放电电流、最佳阴阳极距离和阴极孔尺寸大小。     

Ge_xSi_（1－x）／Si异质结无间距定向耦合光开关模型分析

提出一种简便可行的ＧｅｘＳｉ１－ｘ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型－ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法。该方法采用等离子体包散效应分析了这种光开关的电学调制机理；采用异质结超注原理分析了开关的电学性质；并根据典单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ０．０５ＳＩ０．９５／Ｓｉ异质结ＢＯＡ型光开关的结构参数和电学参数。     

GW──I磁传感器实验仪研制

本文介绍了自制磁传感器实验仪的原理。     

基于Fabry-Perot结构的可调波长选择光开关

本文提出波长选择光开关的概念,首次研制出一个基于Fabry-Perot结构的可调波长选择光开关,该开关为2×2光纤端口,每个端口携带N个波长,工作时可以选1个或多个波长,插入损耗小于3dB,波长调谐范围10nm,调谐机构为一对多层三明治结构的压电陶瓷,具有驱动电压低,小于5V的驱动电压可以达到3.3nm的调谐,最大开关时间为1毫秒,开关比优于30dB.最后还分析了其基本透射与反射光谱性能,并讨论其对光通信、光交换网络产生的重要应用价值.