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211.
研究了低精度鞋式个人惯性导航系统的导航修正算法.该系统由低精度MEMS惯性IMU单元组成,固联在步行者的鞋上.导航算法在传统捷联惯性导航算法基础上,引入了零速修正技术,根据人行走时脚部运动的加速度统计特性,设计了一种比力模值+滑动方差检测算法,用以检测行走过程中的静止时间段.然后通过设计的改良卡尔曼滤波器在静止时间段内滤波估计导航姿态、速度和位置的计算误差,通过反馈校正可以提高原系统的导航精度.最后通过两组MEMS实物实验验证了导航修正算法的有效性和可行性,并指出了进一步的研究方向. 相似文献
212.
213.
自动光交换网络是光网络的发展趋势,其核心技术是光开关矩阵。光开关矩阵是智能光交叉连接设备和可重构光分插复用器核心技术,是构建自动交换光网络的基础。主要介绍了大规模商用的光开关矩阵的技术特点及其在自动交换光网络中的应用。 相似文献
214.
D. Thuau M. Abbas S. Chambon P. Tardy G. Wantz P. Poulin L. Hirsch I. Dufour C. Ayela 《Organic Electronics》2014,15(11):3096-3100
We report a low-cost piezoresistive nanocomposite based organic micro electro mechanical system (MEMS) strain sensor that has been combined to an organic field effect transistor (OFET) with the objective of amplifying the sensitivity of the sensor. When the MEMS cantilever is strained by a mechanical deflection, the resulting variation of resistivity influences the gate voltage (VGS) of the OFET and, hence, changes the drain current (IDS) of the transistor. The present combination allows an enhancement of sensitivity to strain by a factor 3.7, compared to the direct detection of resistance changes of the nanocomposite. As a consequence, a low limit of detection of 24 ppm has been estimated in terms of strain transduction efficiency. Furthermore, the organic microsystem exhibits a short response time and operates reversibly with an excellent robustness. 相似文献
215.
216.
级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1~40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量. 相似文献
217.
218.
轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0~120 kV/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48%,3维电场测量误差小于7.13%。 相似文献
219.
220.
A novel symmetrical microwave power sensor based on MEMS technology is presented. In this power sensor, the left section inputs the microwave power, while the right section inputs the DC power. Because of its symmetrical structure, this power sensor provides more accurate microwave power measurement capability without mismatch uncertainty and temperature drift. The loss caused by the microwave signal is simulated in this power sensor. This power sensor is designed and fabricated using GaAs MMIC technology. And it is measured in the frequency range up to 20 GHz with an input power in the 0-80 mW range. Over the 80 mW dynamic range, the sensitivity can achieve about 0.2 mV/mW. The difference between the input power in the two sections is below 0.1% for an equal output voltage. In short, the key aspect of this power sensor is that the microwave power measurement is replaced with a DC power measurement. 相似文献