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三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。 相似文献
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The method described in this paper allows an investigator to determine the intrinsic stress of a polymer layer in a way that
does not result in damage to devices or test structures. The method requires that a small area of the polymer be released
from the substrate to form a diaphragm. The diaphragm is stimulated with acoustic white noise and the diaphragm movement is
monitored with a laser vibrometer. The first few resonance frequencies of the diaphragm are obtained using a laser vibrometer
and then those frequencies are used to calculate the membrane intrinsic bi-axial tension. 相似文献
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Huimin Xie Biao Li Robert Geer Bai Xu James Castracane 《Optics and Lasers in Engineering》2003,40(3):163-177
A focused ion beam (FIB) Moiré method is proposed to measure the in-plane deformation of object in a micrometer scale. The FIB Moiré is generated by the interference between a prepared specimen grating and FIB raster scan lines. The principle of the FIB Moiré is described. The sensitivity and accuracy of deformation measurement are discussed in detail. Several specimen gratings with 0.14 and 0.20 μm spacing are used to generate FIB Moiré patterns. The FIB Moiré method is successfully used to measure the residual deformation in a micro-electro-mechanical system structure after removing the SiO2 sacrificial layer with a 5000 lines/mm grating. The results demonstrate the feasibility of this method. 相似文献
10.
H. Yamaguchi K. Kanisawa S. Miyashita Y. Hirayama 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2004,23(3-4):285
We studied the structural, electrical, and mechanical properties of an InAs thin film grown on GaAs (1 1 1)A substrates by molecular beam epitaxy. In contrast to conventionally used (0 0 1) surfaces, where Stranski–Krastanov growth dominates the highly mismatched heteroepitaxy, layer-by-layer growth of InAs can be established. One of the largest advantages of this unique heteroepitaxial system is that it provides a two-dimensional electron gas system in the near-surface region without the problem of electron depletion. We review the fundamental properties and applications of this unique heteroepitaxial system. 相似文献