球等鞭金藻细胞生长抑制物的分离纯化

以球等鞭金藻老化培养液的无细胞上清处理液为研究对象,对存在于球等鞭金藻老化培养液中的抑制细胞生长的活性物质进行了分离纯化与抑制活性研究。运用乙酸乙酯萃取,紫外光谱分析,SephadexG-15凝胶过滤,制备薄层层析和C₁₈反相高效液相等光谱分析与纯化方法对其进行活性追踪的分离与纯化。结果表明,采用乙酸乙酯萃取球等鞭金藻老化培养液的无细胞上清处理液可以获得具有明显细胞抑制活性的细胞生长抑制物的粗提物,经200～400 nm的紫外光谱扫描,确定了细胞生长抑制物的特征吸收波长为235 nm。将粗提物用0.2 mol·L-1 NaOH溶解,经蒸馏水适当稀释后,以5%床体积的量加载于SephadexG-15凝胶层析柱并用蒸馏水进行洗脱。在紫外235 nm下,粗提物经SephadexG-15凝胶过滤,获得3个具有细胞抑制活性的组分。用1 mol·L-1 HCl将具有细胞抑制活性的组分pH调至2～3之间,用乙酸乙酯提取。于40 ℃下减压浓缩,将样品点在硅胶G板上,以氯仿为展开剂,进行薄层层析分离与制备,获得4个组分。经检测,仅R_f值为0.63的组分具有明显的细胞抑制活性。此活性组分采用硅烷化键合相C₁₈反相色谱柱,乙腈-水(体积比为63∶37)流动相,0.3 mL·min-1恒流洗脱,检测波长UV-235 nm,获得较好的分离效果。     

新型材料InGaNAs的生长与应用前景

详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。     

饲料中补充晶体蛋氨酸和羟基蛋氨酸钙对罗氏沼虾幼虾生长性能的影响

饲料中添加30%鱼粉为对照组饲料和6组试验饲料(分别替代对照组中16.67%、33.33%和50.00%的鱼粉,同一鱼粉替代水平的2组分别添加晶体蛋氨酸和羟基蛋氨酸钙,使其蛋氨酸含量与对照组一致)喂养罗氏沼虾(初始体重为(0.29±0.04) g )10周,研究不同鱼粉替代水平下,分别添加晶体蛋氨酸和羟基蛋氨酸钙对罗氏沼虾幼虾生长性能和血清生化指标的影响.结果表明：复合蛋白源替代对照组16.67%鱼粉并补充羟基蛋氨酸钙组的增重率、特定生长率、蛋白质效率和饲料系数同对照组无显著差异(P>0.05);同一鱼粉替代水平下,羟基蛋氨酸钙组的增重率、特定生长率和蛋白质效率均显著高于晶体蛋氨酸组(P<0.05).血清生化组成的分析结果表明：血清总蛋白含量各处理组之间差异显著(P<0.05),对照组血清谷草转氨酶和谷丙转氨酶活力显著低于其他各组(P<0.05),其中同一替代水平下,饲料中添加羟基蛋氨酸钙组谷草转氨酶和谷丙转氨酶活力低于添加晶体蛋氨酸组.由此可见,与晶体蛋氨酸相比,羟基蛋氨酸钙能更有效提高罗氏沼虾生长性能和饲料利用效率.     

磁场增强大气压等离子体射流对镍钴合金泡沫的表面改性

用磁场增强大气压等离子体射流（APPJ）限域改性镍钴合金泡沫（NCF）,并在纯水中原位生长镍钴氢氧化物(NiCo（OH）2),探讨等离子体射流对氢氧化物纳米材料电催化性能的影响。结果表明：磁场可有效提高APPJ改性位置的放电强度和活性粒子浓度,提升镍钴氢氧化物纳米晶核的形成密度,加速后续纯水中氢氧化物生长速度。此外,氧化物纳米六方体镶嵌在纳米片边缘,有利于增强电催化稳定性。制备的MOx-M（OH）2/PMNCF电极材料在碱性溶液中(1 mol·L-1 KOH)传递析氢（HER）析氧（OER）电流密度为100 mA·cm-2时,过电位分别为248和385 mV,优于其他化学法制备的同类材料。本文为过渡金属化合物电催化材料的绿色构建提供了一种新方法。     

基于数学建模要求下先进的提拉法控制系统研制

提出了在开发一种先进的直拉法晶体生长控制系统中占据重要地位的设备及工艺特征的下位机模型;分析所采集到的实验数据,揭示出控制中的重要问题,由此开发了一种新的控制结构;该模型是建立在常规控制结构和提出新的控制结构性能对比的基础上。     

北京邮电大学半导体低维量子结构材料研究组

半导体应变异质结构材料,如量子阱、量子线和量子点等在光电材料与器件中发挥着越来越重要的作用,晶格失配导致的应变对材料生长过程、形貌与物理性质具有非常重要的作用,弹性应变场能够改变半导体材料的能带结构,进而影响材料的光学和电学特性以及光电器件的性能。以应变工程为基础的低维量子结构材料的研究已经成为国际半导体材料与器件领域的重要研究方向。北京邮电大学半导体低维量子结构材料研究组在俞重远教授带领下,以连续弹性理论和原子势函数理论为基础,对于自组织量子结构材料的内部应变场、应变能、压电效应、电子与空穴的能级分…     

通过温度控制LEC—GaAs单晶化学配比的实验研究

通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。     

应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.     

GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究

运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息,为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段．对近场光谱中各发光峰的强度随注入电流（电压）变化曲线的研究结果揭示出ＧａＮ蓝光二极管的能带中的施主能级,在ＧａＮ蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用．     

MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择

金属有机化合物汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术是制备用于红外焦平面阵列（ＩＲＦＦＰＡ）的高质量碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺（ＩＭＰ）等因素在ＭＯＣＶＤ外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理,并选择适合的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。