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41.
溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3+:Al2O3光学薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后,SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0.01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向,掺摩尔比0.01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构,平均粒径为30~100nm,平均孔径为50~100nm,表面起伏度为10~20nm。掺摩尔比0.01Er^3 :rAl2O3薄膜,获得了中心波长为1.534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。 相似文献
42.
Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
43.
44.
Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition (PLD). Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results. 相似文献
45.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
生长动力学
成核机制 相似文献
46.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
47.
对线性模型参数,讨论了Bayes估计的Pitman最优性,将已有结果进行了改进,去掉了附加条件,证明了在Pitman准则下,Bayes估计一致优于最小二乘估计(LSE),在此基础上,提出了一种基于先验信息的方差分量估计,通过和基于LSE的方差分量估计作比较,证明了新估计是无偏估计且有更小的均方误差.最后,证明了在Pitman准则下生长曲线模型参数的Bayes估计优于最佳线性无偏估计. 相似文献
48.
49.
本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积(CVD)法生长金刚石膜,在Si及WC-Co硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异,经适当表面处理及选择合适的工艺条件,当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜,衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Raman谱分析表明此膜仅具有特征金刚石1332cm ̄(-1)峰,通过SEM观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长,并与衬底有良好的联结。 相似文献
50.