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991.
该文基于时域有限差分(FDTD)方法和传输线方程,结合插值技术和牛顿迭代法,提出一种新的时域混合算法,能够快速模拟屏蔽腔内任意高度线缆端接瞬态电压抑制(TVS)管电路的电磁耦合问题,并实现空间电磁场与线缆和电路瞬态响应的同步计算。该算法首先利用FDTD方法结合STL网格剖分技术实现屏蔽腔结构的快速建模以及腔体内空间电磁场分布的准确模拟。然后利用传输线方程结合插值技术建立腔体内线缆的场线耦合模型,结合FDTD方法,迭代求解出线缆上的电压和电流响应。对于线缆端接的TVS管电路,列写电压电流方程,采用牛顿迭代法计算得到电路端口的电压响应。通过与电磁仿真软件的计算结果进行对比,验证了所提时域混合算法的正确性。研究表明,该算法能够很好地应用于屏蔽腔内线缆端接负载的TVS管限幅防护设计。 相似文献
992.
该文针对大规模MIMO-OFDM系统,研究当基站端仅配备低精度模数转换器且采用最大比合并(MRC)接收算法时系统中用户可达速率的性能。通过采用加性量化噪声模型(AQNM)将非线性量化函数转化为线性量化函数,首先推导得出用户上行可达速率的闭式表达式。然后基于此表达式,将具备低精度模数转换器系统与传统具有无穷精度的模数转换器系统性能进行分析比较。最后将该文所得到的结果进行仿真分析。同时,该文还指出通过增加基站端天线数目可以弥补由于低精度模数转换器所造成的系统性能的损失。 相似文献
993.
该文针对二元假设检验问题,首先在贝叶斯准则的基础上,分析了最小化贝叶斯代价所对应的最优噪声,将贝叶斯代价的最小化问题等价为虚警概率和/或检测概率的最优化。其次,在保证一定虚警概率和检测概率的前提下,建立起能同时改善检测概率和虚警概率的模型。然后分别给出当检测概率一定时虚警概率最小和虚警概率一定时检测概率最大这两种极限情况下对应的最优加性噪声,并对其进行线性凸组合以获得模型所需的最优加性噪声,进一步分析并证明了该模型能够成立的充分条件。再次,获得先验概率已知和未知两种情况下最小化贝叶斯代价时所对应的加性噪声,且当先验知识发生改变时,该算法只需调整加性噪声中一个可变参数即可获得相应的最优贝叶斯代价。最后,结合具体的检测问题,通过仿真验证了所提算法的有效性。 相似文献
994.
995.
该文引进了一种基于奇异性检测的信号去噪方法,并对其在二维降噪中所需进行的复杂的线性内插作了进一步简化,使得整个二维降噪得以大大简化而达到快速运算和节省存储量的目的。文中详细描述了该算法的理论基础并给出其一维计算机仿真,同时也给出了进一步简化后的二维降噪仿真。这种去噪方法不需要信号或噪声的先验信息。仿真结果表明,相比其它小波去噪方法,该方法的主要优势在于:它在某一时刻的脉冲噪声的辨识和去除能力相当强,而且在去噪的同时能很好地保持信号边缘。 相似文献
996.
大Doppler频移条件下基于导频信号的扩频码捕获 总被引:2,自引:1,他引:1
分析了Doppler频移对传统扩频码捕获算法的影响,提出了在发送导频信号期间,利用自适应谱线增强器(ALE)对部分匹配滤波输出进行处理以估计Doppler频移值,经过频偏校正后,采用传统全匹配捕获算法进行扩频码捕获判决的新方法。仿真结果表明,这种方法可以有效地消除大Doppler频移的影响,迅速完成扩频码的捕获。 相似文献
997.
针对短波信道的特点,该文提出了一种OFDM同步检测方案。方案采用m序列调制导频符号,利用时频偏移联合估计得到m序列的相关峰来实现同步检测。该文理论分析了方案中判决门限区间的选取。蒙特卡罗仿真表明,该方案在低信噪比(-10dB)下性能良好,有可靠的同步概率和小的虚警概率。 相似文献
998.
基于双稳类随机共振的信息检测 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了小参数随机共振(SR)的响应幅值与信号频率和噪声强度的关系,并从噪声频谱的罗伦兹(Lorentz) 分布特性推出,只有在噪声能量集中的低频区域才能产生随机共振的论点。得出了二次采样大参数类随机共振的实现条件,即采样频率至少是信号频率的50倍并根据噪声强度选择二次采样频率。在大参数情况下,由双稳系统输入输出信噪比的分析,阐明了大参数类随机共振方法从强噪声中检测出弱信号的可行性。运用周期和非周期弱信号的检测实例,进一步证明了该方法的有效性和实用性。 相似文献
999.
1000.
This paper presents an Ultra Wide-Band (UWB) high linear low noise amplifier. The linearity of Common Gate (CG) structure is improved based on pre-distortion technique. An auxiliary transistor is used at the input to sink the nonlinear terms of source current, resulting linearity improvement. Furthermore, an inductor is used in the gate of the main amplifying transistor, which efficiently improves gain, input matching and noise performance at higher frequencies. Detailed mathematical analysis show the effectiveness of both linearity improvement and bandwidth extension techniques. Post-layout simulation results of the proposed LNA in TSMC 0.18 µm RF-CMOS process show a gain of 13.7 dB with −3 dB bandwidth of 0.8–10.4 GHz and minimum noise figure (NF) of 3 dB. Input Third Intercept Point (IIP3) of 10.3–13 dBm is achieved which shows 8 dB improvement compared to conventional common gate structure. The core circuit occupies an area of 0.19 mm2 including bond pads, while consuming 4 mA from a 1.8-V supply. 相似文献