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81.
多次散射激光雷达接收信号的模拟 总被引:6,自引:0,他引:6
MonteCarlo方法模拟多次散射激光雷达接收信号是一种经典方法,但这种方法的最大缺点是计算时间很长.为提高计算效率,本文在传统的半解析MonteCarlo方法的基础上,使用Henyey-Greenstein函数的修正公式来表示散射相位函数,计算出每个散射点处光子不发生进一步散射而直接到达接收机的概率.模拟结果显示,一、二、三次散射起主要作用,但随着海水衰减系数和接收机视场角的增大,高次散射对激光雷达的接收信号的作用也越来越强. 相似文献
82.
经典-量子共信道同传是量子保密通信关键应用技术之一,其能够解决当前量子信息与经典信息需不同光纤分别传输的难点问题,可显著降低应用成本。本文针对基于波分复用技术的连续变量量子密钥与经典信息同传的方案,定量分析了系统拉曼散射噪声特性,在前向和后向两种不同经典信息传输模式下,仿真对比研究了拉曼散射噪声对系统安全密钥率的影响。结果表明:经典信息采用前向传输模式时系统安全密钥率明显大于后向传输模式;在固定信道输入功率时,短距离通信时拉曼散射噪声对安全密钥率的影响较小,随距离的增长,拉曼噪声影响不可忽略;在固定通信距离时,在一定数值范围内的额外噪声对系统的安全密钥率影响较小,在L=50km时,此数值为0.07N0 。 相似文献
83.
提出并实现了一种以高非线性色散位移光纤为增益介质,以光栅对形成谐振腔,简单线形结构的连续光抽运的波长间隔可调谐多波长光纤光学参量振荡器(MW-FOPO)。采用波长可调谐的窄线宽激光器作为抽运种子光源,以伪随机相位调制抽运光来抑制高非线性光纤中的受激布里渊(SBS)散射效应,结合高功率掺铒光纤放大器构成光纤光学参量振荡器的大功率抽运,通过四波混频(FWM)效应获得了室温下稳定的多波长激光输出。MW-FOPO的波长间隔可以通过调节抽运波长进行调谐。在1505~1615 nm光谱范围内,获得了17条消光比大于10 dB的多波长谱线。实验证明了MW-FOPO实现多波长激光光源的优异特性。 相似文献
84.
利用Luettgen单次散射信道模型对雾环境下非视距日盲紫外光通信信道传输特性进行了模拟分析.选取波长为260 nm的紫外光,分析了雾环境下对于不同的通信距离,该紫外光的路径损耗与能见度的关系.结果表明:在通信距离已知以及系统的发射仰角、接收仰角、发射视场半角和接收视场半角等几何参数已知的情况下,存在一个使得紫外光传输的路径损耗达到最小的能见度;同时,分析并比较了0~2 km辐射雾和平流雾传输路径损耗与能见度、通信距离的关系,并得到辐射雾环境更利于紫外光传输. 相似文献
85.
86.
本文给出了ICCG的复数形式,并将其应用于电磁场散问题的数值计算中.讨论了不同性态的矩阵方程用ICCG求解的特点.并与其它算法进行了对比.同时文中还讨论了有限元网格优化及预选参数Ψ对ICCG收敛速度的影响.结果表明这种算法对解大型问题.尤其是对大型稀疏阵非常有效. 相似文献
87.
88.
89.
In the framework of a rigid-ion model and using realistic Greens function theory, we have studied systematically the influence of doping on the lattice dynamics of III–V-nitrides. Our theoretical analysis is based on a sound physical appeal for the perturbation caused by different dopants in compound semiconductors. After analyzing the dynamical behavior for two sets of impurities with closest masses occupying Ga- and As-sites in GaAs, we have proposed simple empirical relationships providing corrections to the impurity–host interactions for isoelectronic defects and for dopants carrying static charges. Despite the simplicity of perturbation models, our Greens function theory provided results in good agreement with the recent Fourier-transform infrared (FTIR) absorption data for the magnitude and splitting of N-isotopic shifts of localized vibrational modes in GaAs. With high-resolution FTIR spectroscopy, we strongly believe that the 14NAs-related broad local mode (471 cm−1) in GaAs can be resolved into fine structures due to Ga-host isotopes. Theoretical results for the in-band modes of AsN in cubic gallium nitride are compared and discussed with the existing Raman data on molecular beam epitaxy (MBE) grown GaN layers on GaAs substrates, as well as on GaN samples intentionally doped with As. 相似文献
90.