Classical versus Jennings model for the ground state of H near a metallic surface

We show that, contrary to earlier reports, application of the one-parameter variational technique to the classical (image) model for H in front of an Al surface leads to energy shifts for the ground state which are very close to those obtained numerically with a more sophisticated model of the system.     

Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱的共振喇曼光谱

本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。     

电离层时域探测方法

给出了各向同性分层半空间等离子体对时域电磁脉冲后向散射的有关公式，得出了反抛物层时域响应的解析表达式，并利用时频分析方法演出了电子密度分布。     

利用正则化方法求解浅海声波散射问题

讨论了浅海中波导的声波散射问题，我们将该问题归结为一个第一类边界积分方程，利用正同化方法求解，并证明了该方法的收敛性，数值例子表明了该方法的简单与有效性。     

Crystal structure and magnetic ordering of RNi Si compounds

The element distributions and the magnetic ordering behaviour of compounds RNi₁₀Si₂ (R = Tb, Dy, Ho, Er, Tm) have been studied by neutron powder diffraction down to temperatures of 1.6 K. The compounds crystallize in an ordered variant of the ThMn₁₂ structure type in the tetragonal space group P4/nmm. An ordered 1:1 distribution of Ni and Si on sites 4d and 4e, respectively, corresponds to a modulation vector [0, 0, 1] with respect to the space group I4/mmm of the ThMn₁₂ structure. TbNi₁₀Si₂ orders antiferromagnetically below T _N = 4.5 K with a magnetic propagation vector of [0, 0, 1/2]. The magnetic Tb moments, 8.97(2) /Tb atom at 1.6 K, are aligned along the c-axis. The Ni sites in TbNi₁₀Si₂ do not carry any ordered magnetic moments. The compounds with R = Dy, Ho, Er, and Tm are paramagnetic down to 1.6 K and 3.0 K, respectively. Received 10 July 2002 / Received in final form 12 September 2002 Published online 29 October 2002     

交变光源型位敏器件应用技术

在利用直流光源型半导体位敏器件（ＰＳＤ）进行测量时，常因环境光强的改变而引起误差。本文介绍的交变调制光源及其相应的ＰＳＤ光电信号处理电路，可大大地降低和消除杂散光对测量的影响。     

复杂目标近场电磁散射的可视化计算方法

首次介绍了复杂目标近场散射计算的可视化方法。采用非均匀有理Ｂ样条曲面（ＮＵＲＢＳ）精确构造任意形状散射体，结合几何体近场透视变换和Ｚ－Ｂｕｆｆｅｒ技术实现了基于Ｗｉｎｄｏｗｓ平台的近场散射计算。提出广义雷达散射截面的概念并给出的若干算例。该方法充分利用了计算机３Ｄ图形设备的几何运算能力，运算速度快，严谨高，可扩展性好。     

发光二极管的研究现状与发展趋势

Ⅱ－Ⅵ族，Ⅲ－Ⅴ族化全物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛地应用于 民经济各部门。要方要介绍了国内外发光二有管的研究两头和发展趋势。     

e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的新计算方法

在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂. 本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致.