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991.
Absorption electronic spectra of MoO and WO molecules have been investigated by a intracavity laser technique in the region 550–800 run. New features have been discovered. As for MoO molecule the rotational analysis of the four bands have been carried out for the first time. Two of these bands were referred to 0–0 transitions arisen from the new (probable triplet) low-lying electronic state, two other bands were referred to transitions arisen from excited components of X5II ground state. As for WO molecule the rotational analysis of 0–0 and 1–0 bands represented A-X and B-X systems have been carried out for the first time. The new band has been discovered which has been referred to new electronic transition. Molecular constants of new states of both molecules studied have been evaluated. 相似文献
992.
This study proposes a new formulation of singular boundary method (SBM) and documents the first attempt to apply this new method to infinite domain potential problems. The essential issue in the SBM-based methods is to evaluate the origin intensity factor. This paper derives a new regularization technique to evaluate the origin intensity factor on the Neumann boundary condition without the need of sample solution and nodes as in the traditional SBM. We also modify the inverse interpolation technique in the traditional SBM to get rid of the perplexing sample nodes in the calculation of the origin intensity factor on the Dirichlet boundary condition. It is noted that this new SBM retains all merits of the traditional SBM being truly meshless, free of integration, mathematically simple, and easy-to-program without the requirement of a fictitious boundary as in the method of fundamental solutions (MFS). We examine the new SBM by the four benchmark infinite domain problems to verify its applicability, stability, and accuracy. 相似文献
993.
The multi-scale analysis of fracture toughness of ferroelectric ceramics under complicate mechanical–electrical coupling effect is carried out in this paper. The generalized stress intensity factor (SIF) arising from spontaneous strains and polarization transformation in switching domain zones is accurately obtained by using an extended Eshelby theory. Taking BaTiO3 ferroelectric ceramic for example, it is discovered that the crack propagation can be induced by domain switching arising from negative electrical field when the crack surface is parallel to the isotropic plane, and the obtained critical electric displacement intensity factor (EDIF) approximates closely to that obtained by the Green’s function method. Additionally, as pinning dislocations and slip dislocations can strongly influence properties of ferroelectric devices and induce the property degradation, it is necessary to investigate the dislocation toughening effects on fatigue and fracture mechanisms. The results show that the dislocation shielding and anti-shielding effects on mode II SIF, mode I SIF and EDIF are obviously different when a dislocation locates at a position near the crack tip. Through the calculation of the critical applied EDIF for crack propagation by using mechanical energy release rate (MERR) theory, it is discovered that the slip angles obviously influence fracture toughness, and the mode II SIF arising from dislocation has little influence on fracture toughness, however, the mode I SIF and EDIF arising from dislocation have great influences on fracture toughness. 相似文献
994.
数字散斑相关技术进展及应用 总被引:7,自引:1,他引:7
数字散斑相关技术是廿世纪末发展的一项光力学测量技术,历经20年各国学者的研究改进积累,目前已成为一种成熟的测量方法,并已成功地应用于力学测量中。本文回顾和叙述了这些进展,并列举在各方面的应用实例以进一步扩展其应用领域。数字散斑相关技术的八个关键问题即1.相关公式,2.搜索技术,3.亚像素搜索,4.散斑图,5.减噪,6.补偿技术,7.位移场至应变场转换,8.三维位移场测量。最后将叙述数字相关技术在材料测试、结构模型及实物监测、岩石力学、复合材料性能研究、生物力学等方面的广泛应用情况。 相似文献
995.
R.Pelzer P.Lindner T.Glinsner B.Vratzov C.Gourgon S.Landist P.Kettner C.Schaefer 《电子工业专用设备》2004,33(7):3-9
纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。 相似文献
996.
浅析社会对工程技术专业人才需求的多样化与高等学校工科专业人才培养目标的定位 总被引:3,自引:0,他引:3
沈颂华 《电气电子教学学报》2004,26(2):1-3,22
从社会对工程技术专业人才的实际需求出发,探讨高等学校工科专业人才培养目标的正确定位问题,由此对目前我国高等教育领域已出现的普遍“拔高”现象提出警示。文章又从高等教育的社会功能与作用、工程技术专业人才的社会需求、高等学校专业教育的人才培养目标和本科教育人才培养的专业规范四个方面来论述高等工程教育对社会经济建设与发展的作用与特点,以及在人才培养过程中需把握的某些问题,以供大家讨论、交流与互相学习,旨在对目前正开展的专业规范制订立项研究工作有所启示与参考。 相似文献
997.
Qi-jiang Ran Pei-de Han Yu-jun Quan Li-peng Gao Fan-ping Zeng Chun-hua Zhao 《光电子快报》2008,4(4):239-242
This paper presents a new method to increase the waveguide coupling efficiency in hybrid silicon lasers. We find that the propagation constant of the InGaAsP emitting layer can be equal to that of the Si resonant layer through improving the design size of the InP waveguide. The coupling power achieves 42% of the total power in the hybrid lasers when the thickness of the bonding layer is 100 nm. Our result is very close to 50% of the total power reported by Intel when the thickness of the thin bonding layer is less than 5 nm. Therefore, our invariable coupling power technique is simpler than Intel's. 相似文献
998.
GaN films have been fabricated on Si (100) substrates with ZnO buffer layers by an ion-beam-assisted filtered cathodic vacuum
arc (I-FCVA) technique at␣450°C. GaN films are highly (002)-oriented with a hexagonal structure examined by X-ray diffraction.
The room-temperature photoluminescence spectrum of the GaN film exhibits a strong and sharp band-edge emission peak at 3.36 eV.
The obtained results demonstrate the potential of the I-FCVA technique for the fabrication of high-quality GaN layers on Si
substrates. 相似文献
999.
基于STL数据模型动态拓扑重构的快速切片算法 总被引:3,自引:0,他引:3
分析了现有金属激光立体成形(MLSF)切片算法,提出了一种基于STL模型动态拓扑重构的快速切片算法.根据STL模型中三角面片的几何信息和切片厚度,通过建立分组矩阵,减小了三角面片遍历的次数;通过构建三角面片之间的局部动态拓扑关系,减小了切片平面与三角面片的求交计算次数;并根据切片过程中大部分三角面片的毗邻关系不发生改变这一事实,提出了动态拓扑重构的算法,减小了切片过程中三角面片毗邻关系的查找次数,从而提高了切片算法的整体效率.在该算法的基础上,使用Visual C 和OpenGL开发了金属激光立体成形软件系统. 相似文献
1000.
激光激发瑞利波测量铝合金焊接残余应力 总被引:1,自引:0,他引:1
根据声弹性原理提出了一种新的测量材料表面焊接应力的激光超声方法.利用Nd:YAG脉冲激光在材料表面激发高频率超声瑞利波,采用非线性激光干涉仪对检测焊接应力的超声瑞利波进行探测.探测点的位置保持不变,通过激发源的扫描来改变激发源和探测点之间的距离,干涉仪探测到一系列超声脉冲波形信号.采用波形相关技术计算相邻超声瑞利波的传播时间延迟,得出瑞利波的传播速度,进而根据声弹性理论计算出相应的应力值.通过激光源在焊缝附近的扫描,得到焊缝周围的应力分布.测量了铝焊接平板表面的残余应力,得到了样品表面的焊接应力分布.实验结果表明,这种方法可以实现样品表面焊接应力的快速扫描测量,使其在材料表面焊接应力分布无损检测领域具有一定的应用价值. 相似文献