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本文报道了试用于红外地平仪的新型热堆传感器。由于尺寸小、集成热偶对数高,故设计成双列硅集成结构,集成B-Sb热偶对为112对。采用集成电路工艺和微细加工技术研制,使器件获得较好的稳定性和可靠性。测得器件性能为:电阻10±1kΩ,响应率0.9~1.2V/W,时间常数<100ms.探测率D~*≈1×10~8cmHz~(1/2)/W。 相似文献
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54.
多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用 总被引:4,自引:1,他引:3
采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅(PS),这种PS的微结构为纳米量级的,并具有光致发光特性,这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析,提出了这种PS发光的物理机制:纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用,从量子力学的薛定锷方程出发,用沟道势阱的近似模型,推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒,PS的有效带宽E=E_0+ΔE,对于Si(E_0=1.12ev)。完美地解释了目前在PS研究中的PL谱的篮移现象。 相似文献
55.
用原子分辨电子显微像中的电子散射动力学效应建立轻原子成… 总被引:2,自引:2,他引:0
本文对作者十几年来利用高分辨电子显微学研究几种金属的初期氧化产物的结构的成果做了概要的介绍。 相似文献
56.
采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应,对AlGaAs/GaAsHBT表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明,表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响,但显著增加基极电流,使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构AIGaAs/GaAsHBT中外基区表面复合的集边效应,即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近,与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合,提高电流增益。 相似文献
57.
本采用高频溅射方法,在抛光Si(111)衬底上制备出碳化硅薄膜,了薄膜的高温真空退火勺,实验表明,退火后的薄膜具有较淡理想的结晶取向和发光性质。 相似文献
58.
59.
本文推导了包含自衍射及非线性吸收影响、用以描述空间电荷场建立过程的微分方程组,阐明了周期性的空间电荷场与光强干涉条纹之间的相位差在建立过程中所起的作用,并推导了描述条纹倾斜和弯曲的微分方程。通过数值计算找到了硅酸铋(BSO)晶体中能量转移的规律,讨论了材料特性对过程快慢的影响,提出了用CW激光来探讨瞬态过程快慢的可能性。 相似文献
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