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本文探讨了修改排序网实现信元淘汰的方法(简称B网)。比较了B网和[1]中淘汰网(简称K网)的复杂性和时延。给出了集线比λ=L/N的临界值λ0(N),并证明当λ>λ0(N)时B网有较小复杂性和较小时延。 相似文献
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从2007年10月万方数据公布的2007年版《中国科技期刊引证报告(核心版)》上获悉:《强激光与粒子束》2006年度的总被引频次为1158,在全部1723种期刊中列246位;影响因子为0.560,名列417位。在物理学类31种期刊中,总被引频次排名第7,影响因子排名第14。《中国科技期刊引证报告》已经连续出版11年,收录的中国科技论文统计源期刊即中国科技核心期刊,是经过严格的定量和定性分析选取出来的各学科的重要科技期刊,每年都在动态变化,2006年度共1723种。近年来,随着《强激光与粒子束》的不断发展,刊物的质量不断提高,影响力逐步增大,总被引频次和影响因子有了较大幅度的提升。 相似文献
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提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路. 相似文献
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本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量和飘移扩散分量.显著部分的飘移电流来自横向电场平方的纵向梯度. 相似文献
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本文主要说明DF100A短波广播发射机的被调级帘栅极供电的原理及调试方法,结合调机过程中出现的技术问题深入分析,采用的解决方法,供同行参考。 相似文献
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