驱动问题引领下的核心反应在生产实际中的应用复习教学——以“铁和硫酸铜溶液的反应”为例

以铁和硫酸铜溶液的反应在“湿法炼铜”生产实际中的应用复习教学为例,针对学生能力的薄弱点,围绕核心反应搜集丰富的素材,引导学生模拟体会具体反应应用于生产实际时需考虑的问题,以问题解决为线索,达到促进学生发展的目的。     

用于白光LED的掺杂Ce-YAG荧光玻璃的研制

制备并测试了一种新的用于白光LED的掺杂Ce-YAG荧光玻璃。分别在1 300~1 500℃的空气和氮气中制备出Ce-YAG荧光玻璃。在对不同工艺条件下制得的样品进行了对比和分析的基础上,得到了较理想的制备工艺。结果表明,制得的Ce-YAG荧光玻璃被波长为465 nm(蓝色LED的波长)的光波激发,于550 nm处出现发射峰,表明该样品可应用于白光LED的封装。     

线阵CCD参量测试系统

根据CCD光电参量的定义和测试方法,设计一种线阵CCD参量测试系统.硬件上该系统以LED为光源,用CPLD驱动线阵CCD采集光线,由USB接口传输数据;软件上用Veriolog HDL开发CCD驱动程序,keil C开发USB接口固件程序,VC 开发USB上位机驱动程序、界面操作及数据处理程序.该系统能够方便地观察CCD的驱动时序及输出信号,实现主要光电参量的测量,并且结构简单、操作方便,适宜高校实验室应用.     

一种基于RGB三基色LED的白光光源

数字光源处理(DLP)投影技术是投影显示的一个重要分支,基于发光二极管(LED)照明技术的DLP投影显示技术则是目前DLP技术的一个重要发展方向。根据DLP投影显示技术的需要,对一种新型的LED混光光源进行了优化设计和仿真计算,得到了一种适合于为DLP微型投影机提供照明的LED混光光源。该混光光源可以提高LED光源的DLP微型投影机的光通量。     

P型氮化镓退火及发光二极管研究

对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p-GaN在825°C、8min条件下退火可以取得较高的空穴浓度,而LED在750°C、30min退火可以使量子阱的半高宽展宽较小,积分强度降低百分比小,而且LED芯片正向电压也较小。     

CEV模型和B-P混合驱动模型下亚式期权Monte Carlo模拟

对亚式期权在CEV模型和B-P混合驱动模型限制下进行Monte Carlo模拟定价,建立风险中性测度,模拟出不同弹性因子值下资产价格路径.为了得出优于标准的Monte Carlo模拟,应用方差缩减技术来提高期权定价的精度.最后对亚式期权定价模型进行数值案例分析,得出弹性因子取值、时间步长、模拟次数与期权价值变化的关系.     

非制冷红外焦平面阵列器件驱动电路的研究

分析了电路噪声、电压波动和温度变化等对红外焦平面阵列探测器的工作状态和器件成像品质的影响,论述了设计驱动电路的必要性。在此基础上,设计了非制冷红外焦平面阵列器件的驱动电路,该电路由三个功能模块构成,分别是直流偏置电压电路、单芯片焦平面温度控制电路和基于现场可编程门阵列器件的时序逻辑驱动电路。实验表明,该驱动电路的控温精度优于0.05℃,直流偏压电源精度高,噪声低,时序驱动合理。     

基于PC的通信井红外报警监控系统

利用漫反射式红外传感器、数字编/译码集成电路、专用电源系统以及LED数码管等器件,设计了一种通信井红外报警监控系统.当某个或某些井盖被揭起或移动时,红外接收端接收不到漫反射红外光信号.此时,监控模块将会输出报警信号脉冲,各自对应的井盖指示灯以红色闪烁显示,并发出报警信号,提醒值班人员注意,同时显示井盖号.由于该系统采用...     

一种基于LED的光谱可调光源

介绍了一种光谱可调光源。该光源可以用来实现各种各样的光谱功率分布。一个光谱可调光源系统的具体设计包括成千上万个高功率LED,其波段可覆盖整个可见光光谱。光谱可调光源具有极大的现实意义,它除了可以对光学遥感器进行定标之外,还可以用于光度计和辐射度计的检测校准。通过模拟不同的光照条件,可以对材料特性及物体反射率进行评估。另外,该光源也可用于展示。     

GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.