一种快速瞬态响应型自启动LDO的设计

设计了一款适用于高压电源芯片的无片外电容快速瞬态响应型自启动低压差线性稳压器(LDO)。该LDO与芯片内部基准电路形成自供电自偏置环路,节省了芯片面积,适用电压范围为3.6～16.0 V,输出电压为5.10 V,具有功耗低、带宽宽等特点。电路采用Hspice进行仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100 mA/μs突变时,输出电压突变量最大为98 mV;在两种极端工艺角下,输出电压突变量最大为111 mV。环路特性仿真验证表明,该LDO带宽为3.6 MHz,3 dB带宽为2.5 MHz,相位裕度约75°,片内补偿电容仅3 pF。     

Design of an OP-AMP Based on a LDO Regulator

An operational amplifier (OP-AMP) with a ground current of about 0.6μA is presented.Moreover,this amplifier reaps the benefits of incorporating a foldback current limiting circuit,which enables the low-dropout voltage regulator without the need of a special current limiting subblock.Therefore,the object of ultra-low power is realized because of a great reduction in transistors and current limbs.     

一种适用于LDO的动态频率补偿方案

设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO)中的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hynix 0.5 μm CMOS 模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1 mA 变化至300 mA时,系统环路增益的0 dB 带宽保持在70 kHz到100 kHz之间,相位裕度保持在60o以上,保证了LDO 稳压器在全负载范围内均能稳定工作.     

LDO中动态补偿电路的设计

分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿,保证了LDO稳压器的UGF（Unity Frequency）基本不随负载变化,使其在所有负载内均能稳定工作.与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率.     

低功耗DSP系统设计中的电源解决方案

系统的低功耗设计已成为现代数字电路的一种趋势,单一电源供电系统正逐渐被以低电源电压器件为主的混合电路所取代.DSP器件的电源供电系统以及DSP本身也逐渐向高性能低功耗方向发展,由于现在的高性能DSP器件降低功耗的同时必须考虑到外围器件的电源特性,大多都是以降低DSP和CPU内核电源电压为主,所以对DSP提供电源电压的电源模块,必须考虑到DSP两种电压的供电特性.本文在介绍系统低功耗设计的基础上,通过对以往的电源设计的分析,详细给出了由TI公司的TPS56300和TPS3305-18构成对TMS320C6201提供电源和电源监测的实际应用电路并说明了其特点.     

一种加入动态补偿电路的快速响应LDO设计

当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点.针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流或者输入电压下系统的稳定性能.其适用电压范围为4.5～16.0V,输出电压5.0V,具有低功耗、带宽宽等特性.使用Hspice软件对设计的LDO进行了仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100 mA/μs突变时,输出电压突变量最大为105 mV,响应恢复时间平均约2.1 μs.环路特性仿真结果表明,该LDO带宽为4.9 MHz,3 dB带宽为3.5MHz,相位裕度为约76°,且片内补偿电容仅0.3 pF.     

一种新型双极型LDO线性稳压器的设计

LDO线性稳压器的低漏失电压、低静态电流特性使电池使用具有高效率和长寿命。针对这2个主要特性和使能开关、过温过流保护等功能，本文设计并实现了一种新型的双极型LDO线性稳压器，调整管采用自由集电极纵向PNP管。     

一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO

LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛。在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO。采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案。为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统。实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电。     

A fast transient response low dropout regulator with current control methodology

A transient performance optimized CCL-LDO regulator is proposed.In the CCL-LDO,the control method of the charge pump phase-locked loop is adopted.A current control loop has the feedback signal and reference current to be compared,and then a loop filter generates the gate voltage of the power MOSFET by integrating the error current.The CCL-LDO has the optimized damping coefficient and natural resonant frequency, while its output voltage can be sub-l-V and is not restricted by the reference voltage.With a 1μF decoupling capacitor,the experimental results based on a 0.13μm CMOS process show that the output voltage is 1.0 V;when the workload changes from 100μA to 100 mA transiently,the stable dropout is 4.25 mV,the settling time is 8.2μs and the undershoot is 5.11 mV;when the workload changes from 100 mA to 100μA transiently,the stable dropout is 4.25 mV,the settling time is 23.3μs and the overshoot is 6.21 mV.The PSRR value is more than -95 dB.Most of the attributes of the CCL-LDO are improved rapidly with a FOM value of 0.0097.