一种带过温保护和折返电流限的LDO设计

提出了一种带过温保护电路和折返电流限的LDO,其主环路采用密勒补偿与零点补偿相结合的补偿方式。电路设计基于CSMC的1μm CDMOS工艺,用Hspice进行仿真验证。仿真结果表明,过温保护电路可以实现对电路的保护,并有25℃的迟滞温度;折返电流限可以将过流时的输出电流限制为一个较小的值,并在输出短路时使输出电流保持在30 mA左右;LDO的主环路在轻载和重载下都具有很好的稳定性。     

低压差稳压电源的折返式限流保护电路的设计

为了防止因负载短路和过载对芯片造成永久性的伤害,芯片中通常需要加入限流保护电路。文中从限流保护的原理出发,设计了一款用于LDO的折返式(FOLDBACK)限流保护电路。该电路不仅很好地完成了限流保护功能,同时大大降低了芯片的短路功耗。该设计采用0.6μmBiCMOS高压工艺。Hspice仿真结果表明:与常规的恒定电流限制相比,折返式限流电路在限流状态下能使系统的功耗减少70%以上。     

一种用于电源芯片的双极型LDO电路设计

论文主要介绍一种用于DC／DC电源芯片内部LDO电路,电路采用双极工艺设计,主要为芯片内部提供稳定电压,同时也可以向外部输出。首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了电路的设计指标。然后,利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠。最后,借助CadenceSpectre仿真软件完成仿真验证。实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到9V和6V两种稳定的输出电压。     

基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路.整个电路采用HYNIX 0.5μm CMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1 μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性.     

基于全反馈的高稳定性LDO线性稳压器

提出了一种新型结构的高稳定性LDO线性稳压器.该电路采用基于轨至轨误差放大器的全反馈模式;设计了包括转换速率加强(SRE)电路的缓冲电路,并采用跨多级双密勒电容补偿方式.在Chartered 0.35μm CMOS工艺下进行仿真,结果表明:输出电压跟踪基准电压变化范围为GND～V<,dd>;在0～300Ma的电流负载下...     

一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路

提出了一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路.该共享预稳压电路中包含一个电源抑制减法电路以提高基准源的电源抑制,应用电流负反馈结构以降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度,还可以降低LDO稳压器的输出噪声.仿真结果表明在阈值电压发生士20％变化的情况下,基准源的温度系数变化只有0.11×10-6/℃,电...     

用于射频SOC芯片的低噪声高电源抑制比LDO

设计了一种能够为射频芯片提供低噪声、高PSRR、全集成LDO.采用SMIC 0.18μmRF工艺实现,芯片有效面积0.11 mm2.测试结果表明:当输出电流从0跳变为20 mA时,最大Ripple 为100 mV,稳定时间2μs;当输出电流为20mA,频率到1 MHz的情况下,PSRR＜-30 dB;从1～100 kH...     

一种新颖的BiCMOS高精度LDO线性稳压电路

设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8μm N阱BiCMOS高压工艺制作。Hspice仿真结果表明,在温度从-20℃到100℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA。     

一种片上多电压输出LDO电路北大核心

提出了一种具有较高增益和稳定性的片上低压差线性稳压器(LDO),可为高速变化的逻辑和驱动电路提供快速响应的电压。该两级级联输出的LDO基于0.18μm BCD工艺设计，工作在9.5～15.5 V宽电源电压范围内，并且具有较好的相位裕度、较高的响应速度以及较好的线性调整率，能够满足芯片内部多个电源轨的供电需求。采用Cadence仿真并进行了流片试制，仿真和测试结果表明，该LDO主环路在全负载范围内具有较好的相位裕度，输出电压纹波较小。在输入电压为9.5～15.5 V时，两级LDO的输出电压分别稳定在4.53 V和1.80 V,具有较好的线性调整率。LDO用于GaN驱动芯片时，能稳定地为逻辑和驱动等模块提供电源电压。     

一种基于摆率增强的快速瞬态响应LDO电路北大核心

设计了一种基于摆率增强的快速瞬态响应无片外电容LDO电路。其中，误差放大器采用电流镜跨导结构，降低了频率补偿的难度系数；设计了一种可以为功率管栅极提供额外充放电电流的瞬态提升电路(TEC),能快速响应负载的变化，增大摆率，有效提升了负载瞬态响应。仿真结果表明，电路仅使用简单的密勒密勒补偿，即可实现相位裕度在全负载范围内大于60°;在0.5μs的时间内，负载在100μA和100 mA之间发生跳变，电路的下冲电压和过冲电压分别是69 mV和64 mV,稳定时间分别是0.89μs和0.86μs。相较无TEC,本文电路的下冲/过冲电压分别衰减73%和78%,负载瞬态响应显著提升。