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11.
《今日电子》2006,(4):89-89
SoftFone—W芯片组包括AD6902(Monza)数字基带处理器,AD6856 Stratos—W模拟基带处理器、音频、电源管理集成电路(IC),以及AD6541和AD6547 Othello—W射频芯片。该芯片组支持中端和高端的功能手机中通常包含的功能,例如QVGA屏幕分辨率的MPEG4和NH.263视频编码解码,300万像素的摄像头接口,128和弦MIDI铃声和采用MP3、AAC+或WMA算法的高质量音乐播放,无须增加外部协处理器。AD6902还集成了可编程串行端口和一个灵活的音频子系统,  相似文献   
12.
13.
对纵向泵浦Cr∶Nd∶GSGG激光棒的热透镜效应进行了详细的理论分析。对温度分布的函数表达式 ,进行了讨论 ;分析了热引起的应力 ,得到了激光棒破裂的临界功率公式 ;最后对光学畸变进行了分析与讨论 ,推导了光程差计算公式  相似文献   
14.
首先介绍了本地传输网所承载的业务,然后介绍了本地传输网的现状,接着概括总结了本地传输网目前存在的问题,最后提出了调整和优化思路。  相似文献   
15.
16.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
17.
《电视技术》2006,(9):46-46
PDICATv放大模块采用GaAs材料,具有优异的抗非线性失真指标,而且其功率倍增产品的增益可做到25dB,27dB,32dB,甚至更高。这就使得用“MMIC+GaAs模块”的方案替代传统的用两只模块制作30dB,32dB放大器成为可能。  相似文献   
18.
报道了利用最大输出功率为500mW的LD 纵向泵浦Cr∶ LiSAF/ LBO、利用平凹腔结构 获得430nm 连续蓝紫光激光输出的实验研究。Cr∶ LiSAF 激光晶体厚度为1. 01mm、掺杂浓度为2. 2 %。在LD 泵浦功率为320mW时,基频光860nm 的最大输出功率为3mW。此时,采用LBO 倍频晶体Ⅰ类临界相位匹配进行腔内倍频获得倍频光430nm 的最大输出功率为0. 54mW ,激光阈为101mW ,斜效率为0. 14 %。  相似文献   
19.
通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。  相似文献   
20.
MAX1773/MAX1773A是用于双电池系统的电源选择器,它允许外部控制器去管理双电池组、适配器输入、电池充电器和系统负载所需的电源连接。文中介绍了MAX1773/1773A的特点、引脚功能、内部结构和工作原理,给出了MAX1773/MAX1773A的典型工作电路。  相似文献   
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