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41.
串行接口LED数码管及键盘管理器件ZLG7289A的原理与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了LED数码管及键盘管理器ZLG7289A的原理与应用。该芯片具有SPI串行接口,可同时驱动8位共阴式数码管(或64只独立LED),还可连接多达64键的键盘矩阵,单块芯片即可完成LED显示、键盘接口等全部功能。文章给出了ZLG7289A的特点、引脚功能、指令说明和经典电路.并以单片机AT89C51为例,给出了其接口电路及相应源程序。 相似文献
42.
NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为 总被引:2,自引:0,他引:2
NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感,因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体/银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位,这为银离子提供了一定的溶解度,因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度,从而在烧结过程中起到助烧剂的作用,促进致密化过程,提高烧结体的密度和磁导率;另一方面,银促使铁氧体中的铜在晶界处析出,导致晶界处应力,使磁导率降低,晶粒生长也被一定程度地抑制。 相似文献
43.
44.
主要论述了TMS320F240串行外设接口模块的特点,并通过与MCS5l单片机通信,实现液晶显示。 相似文献
45.
Utilizing forward recoil spectrometry (FRES), we have determined the segregation isotherm which describes the interfacial excess zi* of diblock copolymers of poly (d8-styrene-b-2-vinylpyridine) (dPS-PVP) at the interface between the homopolymers PS and PVP as a function of ?∞, the volume fraction of diblock copolymer remaining in the host homopolymer. All the samples were analyzed after annealing at temperatures and times sufficient to achieve equilibrium segregation. The effect of the degree of polymerization of both the diblock copolymers and the host homopolymers on the segregation isotherm is investigated. When the degree of polymerization of the homopolymer is much larger than that of the diblock copolymer, the normalized interfacial excess (zi*/Rg), where Rg is the radius of gyration of an isolated block copolymer chain, is a universal function of that portion of the block copolymer chemical potential due to chain stretching. The existence of such a universal function is predicted by theory and its form is in good agreement with self-consistent mean field calculations. Using these results, one can predict important aspects of the block copolymer segregation (e.g., the saturation interfacial excess) without recourse to the time-consuming numerical calculations. © 1994 John Wiley & Sons, Inc. 相似文献
46.
Excessive intermetallic compound (IMC) growth in solder joints will significantly decrease the reliability of the joints.
IMC growth is known to be influenced by numerous factors during the component fabrication process and in service. It is reported
that, other than temperature and holding time, stress can also influence the IMC growth behavior. However, no existing method
can be used to study the effect of stress state on IMC growth in a controlled manner. This paper presents a novel method to
study the effect of stress on interfacial IMC growth between Sn-Ag-Cu solder and a Cu substrate coated with electroless Ni
immersion Au (ENIG). A C-ring was used and in-plane bending induced tensile and compressive stresses were applied by tightening
the C-ring. Results revealed that in-plane compressive stress led to faster IMC growth as compared with in-plane tensile stress. 相似文献
47.
SDI接口数字监视设备的设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种对SDV(串行数字视频)信号进行解码的设备设计方案,提出了该系统的总体构架,并对该系统的硬件设计、软件设计进行了全面的论述。设计的产品具有较高的性能价格比,已进入了推广阶段。 相似文献
48.
界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理,本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数,可通过递推的方法,从对应于低阶镜像点的应力函数求得,而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大,它与界面的距离也越来越大,因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明,只需考虑前面有限个镜像点,便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数,以求解复杂问题的理论解,也可用作边界元法的基本解,提高数值计算的精度和效率。 相似文献
49.
50.
Charging of the surface of an oxide caused by the adsorption of hydrogen ions and ions of inert 1:1 electrolyte was investigated by using grand canonical Monte Carlo simulation technique. In particular, adsorption isotherms of protons as well as of ions of the electrolyte together with the resulting charge density of the surface were obtained for different system parameters. Also, the effect of the surface energetic heterogeneity and the concentration of the background electrolyte on the isotherms and the charge density curves was examined. Furthermore, lateral interactions in the mixed adsorbed phase were taken into account in the modeling of the system behavior. The obtained results, in general, suggest that the three factors mentioned above may have substantial influence on the charging mechanism at the liquid/oxide interface. 相似文献