离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束（ICB）法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1：1,成膜质量好.     

丝滑音乐——步步高i368音乐手机

步步高强化音乐手机的力度越来越强，当其用音乐的魔杖点化最潮流的滑盖手机时，我们真切感受到了步步高对于时尚音乐的独到见解——这就是i36B音乐手机。     

美色惹人怜——笔记本电脑的彩色时尚化

2006年11月2日，索尼（中国）有限公司发布了最新的VAIOVGN—C系列时尚笔记本电脑。专为年轻人设计的C系列不仅完美平衡了用户对性能与移动性的双重苛求，更秉承了VAIO一贯的设计优势，在细节处有许多令人惊艳之笔。     

D—Wave Kondo Problem in a Square Tight—Bounding Lattice

A Kondo model in a square tight-bonding lattice of conduction electrons is considered.The Kondo interaction takes a d-wave.Using mean-field theory and numerical simulations,it is found that there is a pseudo-gap for the impurity density of states at the Fermi level.Numerical results also show that the exponents of the lowtemperature thermodynamic quantities are non-universal but dependent on the interaction.     

Fuzzy HX环的推广

为改进Fuzzy HX环的结果,使之包含Fuzzy商环,提出了弱Fuzzy HX环的概念,研究了它的性质与结构,并重新讨论了拟Fuzzy商环,证明了在正则条件下拟Fuzzy商环与弱Fuzzy HX环的统一性：同时也得到了一致弱Fuzzy HX环与普通Fuzzy商环的关系。     

电解抛光和离子薄化法联合制备纳米晶双相稀土永磁合金TEM样品

纳米晶双相稀土永磁合金作为永磁体广泛应用于工业电动机和工业仪表中 ,但对该材料的电子显微结构分析报道较少 ,主要原因是该材料的透射电子显微镜薄膜样品的制备极为困难。原因是 :其一 ,该材料具有极高的脆性 ,以致在制作过程中用镊子夹取时样品极易碎裂 ,使制备过程失败 ;其二 ,由于所制备材料工艺限制 ,这种材料的宽度一般在 1 2～ 2 5ｍｍ ,厚度在 30～ 6 0 μｍ ,传统的制作方法需要经过机械打磨、3大小的薄膜剪切 ,才能将该材料用电解双喷方法或离子薄化技术制成透射电镜薄膜样品 ,但上述方法一般均需要原始试样的宽度不低于3ｍ…     

CDMA时变色散信道的两级盲辨识算法

本文通过对时变信道的扩展函数在时频域进行正则采样，得到了CDMA时变系统的离散正则模型。针对该模型提出了一种具有较低运算量的两级盲辨识算法。为避免两级算法产生的误差传播效应，文章将理想SIMO模型等效为加性噪声模型来处理。与基展开模型方法相比，该算法具有不需利用观测数据的高阶统计量估计展开基频率的优点。文章通过仿真验证了该算法是可行的。     

不确定非线性系统的鲁棒自适应控制器

在ｂａｃｋｓｔｅｐｐｉｎｇ程序中，把非线性自适应控制和鲁棒控制连接起来，为参数化的严格反馈系统在不确定性存在的情况下，建立了一种鲁棒自适应控制方案．非线性自适应控制被用来处理系统的线性参数化部分，而鲁棒控制通过引进非线性阻尼项被用来处理不确定性部分．与现有的方案不同，作者给出了非线性阻尼项的无限种选择，而不是仅仅一种选择．通过使用一种合适的选择，能够设计一个鲁棒自适应控制器．它不仅能够保证对不确定性的鲁棒性，而且能够使输出误差任意小，以及用较小的控制努力取得较好的性能．     

二分量高温超导机理

用两种电子态,讨论了金属—绝缘相变、反铁磁性—金属相变,以及相分离、正常态—超导态相变、非费米液体行为、高Tc等 关键词： 两种电子态 格林函数 玻色化 高温超导     

钐(Ⅱ)类卡宾CH_3SmCH_2X(X=Cl、Br和Ⅰ)促进乙烯环丙烷化反应途径的理论研究(英文)

用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明：CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。