论贷映射及其结构

本文论述了袋映射的缘起，给出了袋映射的对称函数列表示法，并在此基础上证明了Ｖａｌｕｅｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ的袋映射可用一个一元函数和一个二元对称函数表达，从而进一步表明确了这类袋映射的构造。     

冲模设计与制造技术讲座（9）：冲裁模的类型,结构及设计

冲模设计与制造技术讲座（９）冲裁模的类型、结构及设计机械部第十一设计研究院张正修（西安７１００８２）４单工序落料模和冲孔模的结构设计４．１落料模该冲模的主要结构特点是：（１）采用导板式，省了模架。凸模的导向靠导板件７。（２）安装了一套自动挡料机构，可...     

ITU-T B-ISDN编号和寻址方案的进展情况——参加ITU-T第2研究组1996年5月会议专题报告

根据ITU-T1996年5月通过的建议E.191“B-ISDN编号和寻址方案”,简述了B-ISDN编号和寻址的基本原则、号码结构、地址结构和号码的用途。     

GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带     

电信网末端结构与电信经营效益的探讨

从现在电信网末端一般结构出发，提出提高线路网运行经济效益的根本问题是提高单位线路的话务量，因此，必须改变电信网末端结构。文章分析了现在通信技术发展给电信网末端结构改变创造了条件及末端网路结构改变的可行性，进而阐述了网路末端结构的改变产生的显著社会效益和经济效益。     

MOS结构准静态测试中的异常C—V曲线

本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。     

野外铝管接头故障的处理方法

乐清市大荆广电中心站于2000年完成HFC网络的建设，采用60V集中馈电方式供电，到2004年，随着用户的发展，本站网络采用星型拓扑结构，并应用大量12C—FT电缆作为干线传输网，以满足用户需求，如何确保电视信号质量的稳定是目前迫切需要解决的问题。     

d轨道分裂和过渡金属化合物性质的研究

用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂 ,并通过群链的分解 ,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理     

DiskOnChip G4：下一代NAND移动存储

M系统公司推出下一代MLCNAND移动存储解决方案DiskOnChip G4，用在有丰富多媒体特性的手持设备。多级单元（MLC)NAND DiskOnChip G4能提供较好的成本结构，具有DiskOnChip G3三倍的写入性能，20倍的MLC NOR性能。