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石英晶体元件参数的测量方法 总被引:5,自引:0,他引:5
本文主要介绍石英晶体元件参数的测量方法及其原理,特性,技术指标并对几种测量方法进行性能分析比较,同时给出了近年来常用的一些测试仪器。 相似文献
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本文介绍了利用石英晶体和多晶体ZnSe硒化锌作开关试样的电子束控制开关的实验结果,上述两种材料的开关阻抗会因电子束激励急剧下降,石英晶体在电流控制下具有很快的瞬变响应和潜在的适应性;而ZnSe则在电子束激励后,开关阻抗随着时间呈指数增长,相应的电流变化过程约10ns数量级。 相似文献
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荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
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为了研究离子与中红外晶体相互作用的机理,探索中红外晶体光波导的制备和性能,采用离子辐照技术结合精密金刚石刀切割,在MgF2晶体材料中制备了深度17.5 μm、宽度14 μm的脊形光波导。采用SRIM软件模拟了C5+离子辐照MgF2晶体的电子能量损伤和核能量损伤的过程,分析了波导的形成机理;模拟了波导的折射率变化,并对波导的近场模式进行了实验测量和理论模拟;采用热退火处理来降低波导的传输损耗,将传输损耗降低为0.4 dB/cm;微拉曼光谱证明离子辐照过程并未对MgF2晶体波导区造成较大的晶格损伤。该工作表明,离子辐照技术结合划片机精密切割是一种十分成熟的脊形波导制备手段,制备的MgF2晶体脊形光波导在中红外集成光学和光通讯领域具有广泛的应用前景。 相似文献
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利用二维光子晶体的等频线分析原理和平面波展开方法,得到了使二维光子晶体产生全入射角负折射(All-Angle Negative Refraction,AANR)现象时,入射电磁波的频率取值范围.同时,分析了AANR频率范围随着结构参量(晶格类型、介质棒半径与晶格周期的比值)和电磁参量(介质柱介电常量、本底介电常量、入射电磁波偏振方向)变化的行为.结果表明:固定组成光子晶体的一种介质的介电常量,另一介质的介电常量只有达到一定阈值,才有可能使光子晶体出现AANR现象.在给定两种介质介电常量的条件下,存在使AANR频率范围最大化的结构参量和电磁参量. 相似文献
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