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21.
盐雾腐蚀对不同封装形式集成电路性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
通过分析塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装和金属封装集成电路的材料成分,得出它们抵抗盐雾的腐蚀能力。根据市场的使用情况,选用塑封、陶封、玻封三种封装形式的集成电路按照6种不同的试验条件进行盐雾试验。文章通过对试验后的结果进行比较和分析,得出在正常盐雾腐蚀条件下, 它们性能受到影响的大小;在不同盐雾溶液和不同的温度条件下,陶瓷封装电路的性能也发生了变化。最后对塑料封装、陶瓷封装、玻璃封装电路的抗盐雾腐蚀能力进行了总结。 相似文献
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23.
为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1%的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81%的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能. 相似文献
24.
本文报道一种新的观察碲镉汞(CMT)晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理,给出了实验结果。实验表明:机械磨抛的CMT晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来;磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应,而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕;结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下W3.5磨料在CMT晶片表面产生的最大加工损伤深度约32~40pm;机械磨抛产生的划痕和其在表面留下的应力沟道区是CMT晶片表面在磨抛加工中受到损伤的主要机构。分析认为平均损伤深度主要影响磨抛CMT晶片的表面复合速度,而最大加工损伤深度则对CMT器件、特别是多元器件性能参数的均匀性影响比较大;故控制好CMT晶片表面加工的最大损伤深度也是制备性能均匀的CMT多元探测器的一个重要环节。 相似文献
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26.
通过低磨料浓度下催化反应对铜膜抛光速率的影响,证实了纳米SiO2胶体作为催化反应物可以极大地提高铜膜表面的化学反应速率。通过浸泡在不同磨料浓度抛光液中的铜电极表面腐蚀电位和腐蚀电流数值,进一步证实了催化反应能够加速凹处钝化膜的生成,并确定了在静态腐蚀条件下催化反应速率转换临界点所对应的纳米SiO2溶胶浓度为0.1vol%和1vol%。根据催化反应对铜晶圆各平坦化参数的影响,确定了低磨料CMP的最佳纳米SiO2溶胶浓度为0.3vol%,此时铜晶圆的抛光速率、台阶消除量、平坦化效率、碟形坑高度和腐蚀坑高度分别为535nm/min、299nm、56%、103nm和19nm。 相似文献
27.
Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is performed to achieve a high-quality top-layer. The initial thin buffer layer at 360 ℃ is critical for the suppression of anti-phase boundaries and threading dislocations. The etch pit density ofGaAs epilayers by KOH etching could reach 2.25 × 10^5 cm^-2 and high-quality GaAs top epilayers are observed by transmission electron microscopy. The band-to-band photoluminescence property of GaAs epilayers on different substrates is also investigated and negative band shifts of several to tens of meVs are found because of tensile strains in the GaAs epilayers. To achieve a smooth surface, a polishing process is performed, followed by a second epitaxy of GaAs. The root-mean-square roughness of the GaAs surface could be less than 1 nm, which is comparable with that of homo-epitaxial GaAs. These low-defect and smooth GaAs epilayers on Si are desirable for GaAs-based devices on silicon substrates. 相似文献
28.
光纤传感器对混凝土结构钢筋腐蚀监测的研究 总被引:11,自引:1,他引:11
本文报道了光纤传感器用于混凝土结构钢筋腐蚀监测的实验研究结果。该传感方案基于用Fe-C合金膜局部取代光纤介质包层,构成腐蚀敏感膜,从而获取金属腐蚀信息。为了监测钢筋在实际混凝土结构中的腐蚀行为。本文提出了可以埋入到结构中的光纤腐蚀传感器(FOCS),并对埋入工艺进行研究,通过人造裂缝将防冰盐(NaCl)溶液加入到混凝土结构钢筋处并进行加速腐蚀,用紧贴钢筋铺设的FOCS监测钢筋腐蚀过程中输出光功率的变化,结果表明FOCS输出光功率变化和腐蚀介质的pH值变化有良好的对应关系,并与腐蚀电化学理论描述相一致,证实了所提传感器方案的可行性。 相似文献
29.
增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能 总被引:4,自引:0,他引:4
对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。 相似文献
30.