全文获取类型
收费全文 | 5663篇 |
免费 | 739篇 |
国内免费 | 537篇 |
专业分类
化学 | 1431篇 |
晶体学 | 70篇 |
力学 | 874篇 |
综合类 | 38篇 |
数学 | 289篇 |
物理学 | 1446篇 |
无线电 | 2791篇 |
出版年
2024年 | 18篇 |
2023年 | 116篇 |
2022年 | 120篇 |
2021年 | 173篇 |
2020年 | 220篇 |
2019年 | 161篇 |
2018年 | 135篇 |
2017年 | 181篇 |
2016年 | 218篇 |
2015年 | 222篇 |
2014年 | 317篇 |
2013年 | 413篇 |
2012年 | 324篇 |
2011年 | 339篇 |
2010年 | 270篇 |
2009年 | 326篇 |
2008年 | 333篇 |
2007年 | 352篇 |
2006年 | 349篇 |
2005年 | 313篇 |
2004年 | 310篇 |
2003年 | 268篇 |
2002年 | 214篇 |
2001年 | 196篇 |
2000年 | 170篇 |
1999年 | 132篇 |
1998年 | 127篇 |
1997年 | 92篇 |
1996年 | 97篇 |
1995年 | 89篇 |
1994年 | 62篇 |
1993年 | 53篇 |
1992年 | 32篇 |
1991年 | 32篇 |
1990年 | 40篇 |
1989年 | 29篇 |
1988年 | 24篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 2篇 |
1977年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1971年 | 4篇 |
1957年 | 4篇 |
排序方式: 共有6939条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
弹片作为一种重要的电连接器,它的可靠性会直接影响设备的电性能。研究弹片电连接的规律和影响因素,对于提升设备性能并节约成本具有重要意义。本文通过软件仿真及实验测量,测试了在弱外加力(<2 N)的条件下,以弹片为代表的电连接部件,接触电阻阻值随着接触金属面材料的电阻率减小而减小,且随着外加力的增大而减小的规律。通过机械接触理论分析及计算,验证了接触电阻会受到材料的电阻率与外加力影响;对弹片的接触电阻产生机理给出了明确解释,能够更准确地判断弹片与不同接触界面产生接触电阻的大小关系。 相似文献
103.
研究蠕变加载条件下线黏弹性材料接触界面端附近的奇异应力场问题.考虑接触界面的摩擦,假设界面端的滑移方向不改变,相对滑移量微小,且其与位移同量级,由此线性化局部边界条件,根据对应原理得到Laplace变换域中的界面端应力场,导出时域中奇异应力场的卷积积分表达式.对卷积积分核函数进行数值反演,考虑接触材料的两类组合,一是持久模量具有量级上的差异,另一是持久模量接近相同.算例结果证实核函数可以用准弹性法求得的解析式较准确地近似.在此基础上,利用积分中值定理,并引入各应力分量的修正系数,得到黏弹性奇异应力场的简化式.结合核函数的数值反演结果分析修正系数表达式的取值范围,得到如下结论,若两相接触材料的持久模量相差很大,可以采用准弹性解的解析式较准确地描述界面端的奇异应力场;一般情况下,应力场不存在统一的奇异值和应力强度系数,当采用类似于准弹性解的表达式近似给出黏弹性应力场时,可以估计此近似描述的误差限.文中最后采用有限元分析黏弹性板端部嵌入部位的应力场,算例包括了黏弹性板与弹性金属支承、黏弹性板与黏弹性垫层所形成的滑移接触界面端,利用黏弹性有限元的数值结果验证理论分析所得结论的有效性. 相似文献
104.
本文研究了含非完整界面的功能梯度压电复合材料的Ⅲ型裂纹问题.此裂纹垂直于非完整界面,采用弹簧型力电耦合界面模型模拟非完整界面.界面两侧材料的性质,如弹性模量、压电常数和介电常数均假定呈指数函数形式且沿着裂纹方向变化.运用积分变换法将裂纹面条件转换为奇异积分方程,并使用Gauss-Chebyshev方法对其进行数值求解.根据算例结果讨论了一些退化问题并分析了裂纹尖端强度因子与材料的非均匀系数和非完整界面参数的关系. 相似文献
105.
为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1~2×10~(11)eV~(-1) cm~(-2)。 相似文献
106.
In the Ir(210)/aqueous HCl solution system the “hydrogen adsorption region” is due to the combined process of hydrogen and
chloride ion adsorption. We demonstrate that by using impedance spectroscopy the rates of, and charges associated with, hydrogen
and chloride adsorption rates can be determined separately.
Published in Elektrokhimiya in Russian, 2009, Vol. 45, No. 1, pp. 32–41.
Dedicated to the 100th anniversary of B.V. Ershler.
The text was submitted by authors in English. 相似文献
107.
Milindkumar S. Kalekar 《Journal of Dispersion Science and Technology》2013,34(7):1027-1034
Adsorption of various surfactants at the gas liquid interface is studied with equilibrium and dynamic surface tension measurements. The Wilhelmey plate method and maximum bubble pressure method are used for this study. Dynamic surface tension of solutions of different surfactants, sodium lauryl sulfate (SLS), polyoxyethylene glycol 4‐tert‐octyl phenyl ether (Triton X 100), poly‐oxyethylene(20) cetyl ether (Brij 58), and tetraethylene glycol mono‐n‐dodecyl ether (Brij 30), is measured at different concentrations. Adsorption of different surfactants is compared on the basis of equilibrium and dynamic behavior. Effectiveness and efficiency of different surfactants is found from equilibrium surface tension measurement. A new parameter is defined to quantify the dynamic behavior of adsorption, which gives the concentration of surfactant needed to reduce surface tension to half of its maximum reduction within a defined time available for adsorption. The dynamics of surfactant solution is quantified by using this parameter. 相似文献
108.
介绍了一种利用双音多频(DTMF)信号进行数据通信的接口电路,具体阐述了该电路的组成原理以及软硬件的实现方法. 相似文献
109.
对LabVIEW的串行通信接口驱动进行了研究,对用VISA编程进行了初步的尝试,设计并实现了基于LabVIEW的上位机控制程序,以及基于MCS-51单片机控制的数据采集终端的数据存储与控制,完成了基于8051单片机的远程数据采集终端的上位机串口通信接口部分程序,并且通过了测试. 相似文献
110.
介绍了TMS320VC5402,TLV320AIC23芯片的功能特性,分析了数字音效系统中TMS320VC5402与TLV-320AIC23的硬件接口设计,详细阐述了TMS320VC5402多通道缓冲串口McBSP的接口配置、音频编解码芯片TLV320AIC23的内部寄存器配置,给出了部分配置参数和关键程序代码。 相似文献