Surface effect on band structure of magneto-elastic phononic crystal nanoplates subject to magnetic and stress loadings

This paper presents a theoretical model for the size-dependent band structure of magneto-elastic phononic crystal(PC) nanoplates according to the Kirchhoff plate theory and Gurtin-Murdoch theory, in which the surface effect and magneto-elastic coupling are considered. By introducing the nonlinear coupling constitutive relation of magnetostrictive materials, Terfenol-D/epoxy PC nanoplates are carried out as an example to investigate the dependence of the band structure on the surface effect, magn...     

基于声子晶体带隙特性的薄板减振设计

基于平面波展开法和薄板振动方程,计算了薄板型声子晶体的带隙和减振特性,通过与有限元软件的计算结果验证带隙计算的正确性,并进一步讨论了散射体几何形状及填充率、弹性模量比、密度比等对薄板型声子晶体带隙特性和减振的影响.结果表明正多边形散射体随边数的减小,第一带隙宽度逐渐增加,正方形散射体薄板减振效果明显.填充率对声子晶体带隙特性的影响不是线性的.随散射体基体弹性模量比数量级增大,第一带隙趋于低频,宽度降低.散射体基体弹性模量比较大时,密度比越大,第一带隙宽度越大,对应的薄板结构减振特性越好.     

一种基于滤波器组的自适应门限窄带干扰抑制方法

针对直接序列扩频(DSSS)通信中的强窄带干扰,提出了一种基于重叠变换滤波器组的自适应门限窄带干扰抑制技术.该技术根据接收信号经过滤波器组后的统计特性,确定窄带干扰与扩频信号之间的阈值.通过降低高于阈值的子带信号的强度,降低了处理后的信号中的干扰能量,使接收信号的信噪比大大提高.     

一种新颖的Ku频段宽带波导功分器

介绍了一种新颖的E面波导T型宽带功分器结构,并利用HFSS软件对这种结构进行了优化设计。实物测试结果表明,在12．5～18GHz频率范围内,插损小于0．3dB,输入端口的回波优于-17dB,与仿真有较好的一致性。     

基于MIPS平台的 MPEG-4 AACplus v2解码器的实现

介绍了MPEG-4 AACplus v2解码器的基本原理和MIPS平台HTK HSB1101的原理与应用,给出了MPEG-4 AACplus v2解码器在MIPS平台HTK HSB1101上的实现方案。在保证解码质量和实时解码要求的情况下,结合HTKHSB1101平台的特性,对解码器在软件代码和处理器方面进行了优化。实验结果表明,与标准算法相比,该解码器在确保音频解码质量的同时,提高了解码速度,满足了解码实时性要求,也为视频解码和其他应用提供了足够的处理空间。     

二维介质型光子晶体的直线法分析

运用直线法对二维介质型光子晶体的能带结构进行分析,给出直线法中关于二维介质型光子晶体的本征方程的建立过程.同时,对不同参数的光子晶体进行计算,计算结果通过时域有限差分算法(FDTD)及已发表的数据得到了验证,并考虑不同结构的光子晶体的TE波与TM波的带隙形成情况,可为二维介质型光子晶体的设计提供参考.     

锗硅纳米晶材料光学性质的第一性原理研究

为了研究锗硅纳米镶嵌结构的光学性质与晶粒尺寸之间的关系,采用基于第一性原理局域密度泛函理论的平面波近似方 法对SiO2基质中的不同纳米晶粒模型进行了模拟计算,并分析了其能带结构、态密度和光学性质。结果表明,锗晶结构和硅晶结构分别 在费米能级以上3.3eV及4.3eV附近引入中间能级;微小尺寸晶粒的光吸收边随晶粒尺寸的增大先红移后蓝移。本文关于锗硅纳米晶结构 的可见光发射来自界面处缺陷的说法具有较高的可信度。镶嵌于SiO2基质中的锗纳米晶和硅纳米晶存在适用量子限制模型的最小尺寸限。 这些结论为改进材料的光学性能和深入研究纳米镶嵌材料的发光机理提供了一定的依据。     

In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜, 并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性 能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换 Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高, 其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂 质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄 膜相近。     

一类幂等半环的性质和结构

研究了加法半群为半格的半环类S+l中的乘法带半环和矩形带半环类BR中的乘法带半环;给出了ID半环中乘法带半环的结构定理,即ID∩.■°D=.■z∨.■z∨D.     

5G NR FDD与WCDMA系统共存研究

为推动5G在中频段的重耕,研究了中频段NR FDD系统与WCDMA系统在相同地理区域邻频共存时的系统间干扰造成的性能损失,分析了在不同功率参数、不同拓扑结构、AAS/NON-AAS 2种天线模型下,4个干扰场景的仿真结果.最后给出NR FDD系统与WCDMA系统共存建议以及共存措施.