同频带OFDM+AM传输系统方案研究与仿真

提出了一种将基于OFDM的数字信号和AM信号在同频带内传输的方案。对OFDM信号的分离及载波同步技术进行了深入的分析,提出了解决策略,并对整个方案进行了仿真。仿真结果表明,此方案能够实现数字信号和AM信号在同一频带内传输而互不干扰。     

宽带数字单边带下变频器

数字单边带下变频器是软件无线电中不可缺少的组成部分,也是射电观测中,数据采集设备的重要组成部分,由于该模块紧接高速A/D采样器之后,所以对其运算处理能力有很高的要求.本文提出了实现宽带数字单边带下变频器的一种可行方案——并行处理,可以从根本上解决数字信号处理的瓶颈效应.     

超宽带无线通信解决方案的分析与比较

介绍了基于超宽带(UWB)无线通信技术的各种优势.对目前应用较为广泛的直接序列超宽带(DS-UWB)和多频带超宽带(MB-UWB)两种方案进行了比较分析,并对Freescale-UWB和Wisair-UWB的两种具体产品进行了分析.针对家庭和小型办公场所提出了UWB-Ad Hoc网络的实现结构.     

有机薄膜电致发光器件的研究

系统介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构和发光机理,从有机半导体的能带结构和OLED的能带结构,分析了OLED发光过程,指出了如何提高器件的发光效率.最后概述了器件的最新进展和应用前景,并展望了未来OLED发展的方向.     

激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。     

5G基站的配套改造方式浅析

随着5G商用牌照的发放,5G基站建设如火如荼地开展,5G基站的基础配套的改造需求变得越来越紧迫.现有基站的配套能力如何满足5G建设的需要,成为亟需面对和解决的问题.通过分析三大运营商5G网络的特点和架构,同时考虑多家运营商共享情况,并根据5G网络建设实施情况分析5G基站的塔桅抱杆、电源和外电的配套改造方案.     

PPLT倍频宽线宽掺镱双包层光纤放大激光

分别通过理论和实验研究了周期性极化的钽酸锂（PPLT）倍频宽线宽准连续掺镱双包层光纤放大激光.PPLT样品长为40 mm,极化周期为7.67 μm.基频光的中心波长为1064 nm,线宽约为6 nm.从基频光的光谱特性出发,利用超晶格倍频理论,解释了实验中获得的倍频温度与二次谐波功率之间的关系.在基频光的功率为2.2 W时,获得的宽线宽光纤激光倍频效率为1.8%.     

W波段回旋行波管放大器速度零散的分析

通过包含速度零散影响的回旋行波管放大器的非线性理论模型,以W波段两段结构回旋行波管放大器为例,详细分析了速度零散对放大器电子注—波互作用的影响.模拟结果表明,通过合理地调整互作用长度,减小电子横纵速度比、调节工作磁场等方法可以有效地减小速度零散的影响,对回旋行波管放大器的优化设计提供了理论依据.     

管道超结构轴向带隙特性分析及实验研究

本文提出一种新型管道超结构元胞构型,其轴向振动带隙包括局域共振型和布拉格(Bragg)散射型两种带隙,该结构在2 500 Hz内共有两阶带隙,且第二阶带隙频率范围较宽。分别应用传递矩阵法和有限元法计算了该结构的能带结构分布及有限周期结构传输特性;搭建了包含4个元胞的管道超结构实验平台进行振动测试,并与计算结果进行对比验证;最后讨论了不同参数对其带隙分布的影响规律。结果表明,所研究管道超结构在2 500 Hz内共有两阶带隙,第一阶带隙主要为局域共振型带隙,凸台和振子的几何尺寸对其影响较大,元胞尺寸对其影响较小。第二阶带隙主要为布拉格散射型带隙,带隙宽度可达923 Hz,该带隙分布随元胞长度、凸台长度和振子厚度改变而改变。合理设计结构各部分几何尺寸,可满足工程中特定频段抑振的需求。     

h-BN型超晶格等离子体光子晶体能带特性研究

六方氮化硼(h-BN)晶格结构是一种类六方对称复式超晶格结构。具有h-BN晶格构型的光子晶体以其宽光子带隙特点受到国内外学者的广泛关注。本文利用不同尺度低压气体放电管与Al₂O₃介质棒周期性排列,构建了新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体,实现其空间结构和等离子体参数的动态调控。利用微波透射谱对比研究了h-BN型超晶格与简单三角晶格等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目。分析了放电电流、介质棒阵列数对不同频段光子带隙的影响,以及电磁波入射角度对电磁传输特性的影响。结果表明：等离子体的引入不仅能够形成新的光子带隙,而且可以选择性地使部分禁带位置发生移动;相对于简单三角晶格,h-BN型超晶格等离子体光子晶体呈现出更多光子带隙;Al₂O₃介质棒阵列数对等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目均具有重要影响。电磁波入射角度变化越大,电磁传输特性差别越显著,透射谱相关性越差。本文所设计的新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体为制作可调谐光子晶体提供了新的思路,在微波和太赫兹波控制领域具有潜在应用价值。