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Chia-Lung Tsai Cheng-Lung Tsai Guan-Ru He Ting-Hong Su Chang-Feng You Yow-Jon Lin 《Solid-state electronics》2011,61(1):116-120
In this study, the current-voltage characteristics of the AlCdO/unpolished p-type Si and AlCdO/polished p-type Si Schottky diodes with and without light illumination were examined. It is found that the Schottky barrier height (the series resistance) of the AlCdO/unpolished p-type Si Schottky diode is higher (lower) than that of the AlCdO/polished p-type Si Schottky diode. The power conversion efficiency of the AlCdO/p-type Si devices in the light (AM 1.5 G, 100 mW/cm2) was improved by increasing built-in potential at the AlCdO/p-type Si interfaces and reducing the device series resistance and surface reflectivity. It is shown that the device surface roughness plays an essential role in improving the device performance. 相似文献
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介绍了Rod-pinch二极管的基本结构和工作原理,采用Laminar模型分析了Rod-pinch二极管中的粒子运动过程及其阻抗特性。考虑背景空间离子电荷的影响,用1维Laminar方程分析Rod-pinch二极管中电子的自箍缩过程,并且利用Magic程序对其中的粒子运动进行数值模拟,求解二极管中的电压和电流,最终得出二极管的阻抗特性,在较低电压下,负极性RPD的性能明显不如正极性RPD。根据临界电流经验公式,初步验证Laminar理论模型的可行性。 相似文献
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介绍了一种光谱可调光源。该光源可以用来实现各种各样的光谱功率分布。一个光谱可调光源系统的具体设计包括成千上万个高功率LED,其波段可覆盖整个可见光光谱。光谱可调光源具有极大的现实意义,它除了可以对光学遥感器进行定标之外,还可以用于光度计和辐射度计的检测校准。通过模拟不同的光照条件,可以对材料特性及物体反射率进行评估。另外,该光源也可用于展示。 相似文献
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在太赫兹频段外差设备中,倍频源是重要的组成部件。最近几年,国内许多科研单位利用分立的平面肖特基二极管开展了关于太赫兹频段倍频器的研究。除了设计方法以外,仍有许多问题需要考虑。本文结合完成的225 GHz三倍频器的实际测试结果,从三方面讨论了在研制过程中遇到的关键问题。首先,二极管模型的准确性决定了仿真结果的可靠性。依据已知的管子Spice参数和倍频器测试结果,对肖特基二极管的物理结构尺寸和直流参数不断进行修正,直到仿真和测试结果趋于一致。其次,当大功率输入时,在肖特基结处会有热量的累积。因此进行了一个稳态热分析的仿真,结果显示当250 mW功率输入时,产生的最高温度大约为140°C,这对于该二极管而言是安全的。最后,在装配过程中会有很多不理想因素的引入,例如导电胶形状的不确定以及电路安装位置的偏移。在文章中会进一步计算出这些不理想因素对倍频器性能产生的影响。 相似文献
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A new voltage-programmed driving scheme named the mixed parallel addressing scheme is presented for AMOLED displays, in which one compensation interval can be divided into the first compensation frame and the consequent N-1 post-compensation frames without periods of initialization and threshold voltage detection. The proposed driving scheme has the advantages of both high speed and low driving power due to the mixture of the pipeline technology and the threshold voltage one-time detection technology. Corresponding to the proposed driving scheme, we also propose a new voltage-programmed compensation pixel circuit, which consists of five TFTs and two capacitors(5T2C). In-Zn-O thin-film transistors(IZO TFTs) are used to build the proposed 5T2C pixel circuit. It is shown that the non-uniformity of the proposed pixel circuit is considerably reduced compared with that of the conventional 2T1C pixel circuit. The number of frames(N) preserved in the proposed driving scheme are measured and can be up to 35 with the variation of the OLED current remaining in an acceptable range. Moreover, the proposed voltage-programmed driving scheme can be more valuable for an AMOLED display with high resolution, and may also be applied to other compensation pixel circuits. 相似文献
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绿色发射磷光剂BaSi2O5:Eu2+是由常见的固体反应合成。在CASTEP代码中,BaSi2O5可视为存在3.2eV直能隙的媒介带隙半导体。正如预期所料的,BaSi2O5光学带隙的计算值比对应的实验值低。200-400nm宽光谱范围可以有效地激活活化的Eu2 的BaSi2O5磷光剂,当最大半宽为95nm时,500nm处有一个发射峰。浓度和发射强度的研究表明Eu2 的最优浓度是0.05mol,当Eu2 容量超过临界值时,会出现浓度淬灭。最优条件的BaSi2O5的外量子效率:在315nm、350nm和365nm的激发下,Eu2 分别是96.1%、70.2%和62.1%。样品优越的光学性能表明绿色发射磷光剂可替代白光LED。 相似文献