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32.
33.
The growth of GaInAsP lattice matched to GaAs using tertiary-butylphosphine and ethyldimethylindium to replace the more conventional
phosphine and trimethylindium is described. The quaternary compound lattice matched to GaAs has received far less attention
than related compositions that lattice match InP. Using the new sources, most of the growth problems experienced by previous
workers have been avoided. Uniform compositions have been grown reproducibly without evidence of gas-phase, adduct-forming
reactions. Bothn- andp-type films have been grown. Heteroepitaxy of high quality GalnAsP layers on Ge has also been achieved, and microstructural
results are presented. 相似文献
34.
面阵列封装器件在电子产品中的使用率逐年上升,如何实现其高速贴装是影响生产线效率的重要因素。从不同的角度论述了面阵列封装器件实现高速贴装的手段与技术。 相似文献
35.
浅谈集成电路的废气处理 总被引:1,自引:1,他引:0
集成电路的工业废气有含氟化物、硫酸雾的酸性废气,含氨的碱性废气,含异丙醇、光刻胶的有机废气,含SiO_2的含尘废气,以及含硅烷、磷烷的工艺尾气等,这些工业废气中大部分成分是有毒有害的,必须进行有效的处理才能排入大气中。主要讨论上述工业废气的分类、处理方式、应用范围及应用实例等。 相似文献
36.
本文简述了红外热成像技术用于厚膜混合集成电路热设计中的理论与实验方法,并讨论了结果。 相似文献
37.
A Beyer E MüllerH Sigg S StutzC David K EnsslinD Grützmacher 《Microelectronics Journal》2002,33(7):525-529
Germanium islands were embedded in strained silicon quantum wells in order to provide an improved electron confinement in vicinity of the islands. Growth was performed on relaxed SiGe layers. Patterned substrates were used, favouring lattice relaxation as well permitting the fabrication of small Ge islands at deposition temperatures above 500 °C. Photoluminescence analysis reveals a strongly reduced dislocation related signal. The low temperature spectra are dominated by intense signals from the germanium islands. The origin of these signals were investigated by removing the islands by etching, analysing reference samples without a silicon quantum well, varying the germanium deposition and the growth temperature. 相似文献
38.
SW233 PIN驱动器自动测试系统的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种集成电路自动测试系统,该系统采用计算机并口作通信接口,用VB6编程,实现了对外围测试电路的控制,用IEEE-488接口卡控制测试仪器,可对SW233电路的36个参数进行自动测试,并将测试结果自动保存在数据库中。该测试系统具有自动化程度高、操作方便、测试结果精确等特点。 相似文献
39.
40.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献