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11.
介绍了VLSI版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法,给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元,较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取,证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用CPU时间上都取得了令人满意的效果 相似文献
12.
本文主要根据电子整机的发展要求,从集成化、高性能和高可靠等三方面分析国外模似IC的发展,进而说明模拟IC总的发展趋势及其表现。最后指出,模拟IC正面临一个新的变革时期。 相似文献
14.
本文首先扼要介绍锂离子电池保护电路的功能,然后分别介绍过充电保护,过放电保护,过电流保护,最后列举几种保护性半导体IC的性能及应用电路的结构。 相似文献
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16.
17.
浅谈集成电路的废气处理 总被引:1,自引:1,他引:0
集成电路的工业废气有含氟化物、硫酸雾的酸性废气,含氨的碱性废气,含异丙醇、光刻胶的有机废气,含SiO_2的含尘废气,以及含硅烷、磷烷的工艺尾气等,这些工业废气中大部分成分是有毒有害的,必须进行有效的处理才能排入大气中。主要讨论上述工业废气的分类、处理方式、应用范围及应用实例等。 相似文献
18.
SW233 PIN驱动器自动测试系统的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种集成电路自动测试系统,该系统采用计算机并口作通信接口,用VB6编程,实现了对外围测试电路的控制,用IEEE-488接口卡控制测试仪器,可对SW233电路的36个参数进行自动测试,并将测试结果自动保存在数据库中。该测试系统具有自动化程度高、操作方便、测试结果精确等特点。 相似文献
19.
20.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献