我国发展IC卡的措施

本文简述了ＩＣ卡的分类和性能，用对比的方法指出ＩＣ卡与磁卡的区别及ＩＣ卡的优越性。根据我国ＩＣ卡的发展现状，分析了当前制约ＩＣ卡发展的主要因素。并针对现状与存在的问题，提出了在我国发展ＩＣ卡应采取的和经营方式。     

机械企业CAD技术应用深化研究

根据目前我国机械企业CAD技术应用的实际情况和特点，机械企业在CAD技术实施完成后，从图库及二次开发、三维造型、图文档管理、系统分析以及CAD与CAPP、CAM集成等方面进行对CAD技术进行深化的问题进行了分析和探讨。     

CMOS射频集成电路的研究进展

近年来，射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展，CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨，着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案；分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展；展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。     

体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现

制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点，文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法，这些方法都与CMOS工艺兼容。     

Integrated Inductors Modeling for Library Development and Layout Generation

In this work we propose a modification to the conventional lumped equivalent circuit model for integrated inductors. Also the widely used parametric model is modified. The proposed models expand the frequency range where the integrated inductor behavior is accurately predicted. They are useful in developing automatic tools to assist the designers in selecting and automatically laying-out integrated inductors [1]. This work is based on measurements from integrated inductors fabricated in a standard silicon process.     

SOC时代低功耗设计的研究与进展

在片上系统(SOC)时代,芯片内核的超高功耗密度以及移动应用市场对低功耗的无止境需求,使低功耗设计变得日益重要.文章全面系统地介绍了低功耗设计的相关内容,包括背景、原理和不同层次的功耗优化技术,着重介绍了面向SOC的系统级功耗优化技术.通过对已有研究成果按设计抽象层次和系统功能的分析,指出了其优化的全局性不够充分.提出了基于软硬件协同设计的系统功耗优化思路和设计流程,展望了SOC低功耗设计的发展方向.     

流水线阵列乘法器的功耗分析和优化

针对流水线结构阵列乘法器，分别采用寄存器翻转统计和门级翻转率统计的方法进行了功耗分析，创新地提出了一种通过增加判断逻辑进行数据预分流以实现功耗优化的方法。实验结果证明，这种优化方法能够带来明显的功耗节省。类似方法也可普遍用于逻辑行为对称但实现结构不对称的数据通路单元的低功耗设计实现中。     

锂电池管理芯片的过流保护功能设计及实现

针对锂电池应用特点,设计了用于电池管理芯片的过流保护功能模块.电路采用0.6(m N衬底双阱CMOS工艺实现.HSPICE后仿真结果表明,该模块不仅能对锂电池放电过程实现三级过流检测和保护,还能对充电过程中的过流进行有效管理.通过功耗管理和采用基于亚阈值MOS管的电路,模块消耗电流仅为1.2(A,能充分满足较复杂的电池管理芯片的需要.     

微波管CAD技术进展

综述微波管CAD技术（包括微波管CAD中数值计算方法、广泛应用的大型电磁分析软件、微波管建模与模拟、微波管CAD集成环境等）的国际国内研究情况。并展望了我国微波管CAD技术的发展前景。     

COMPUTER AIDED ANALYSIS OF CARRIER ENERGY TRANSPORT IN MOSFETs

The two-dimensional numerical simulation of energy transport for MOSFETs ispresented,in which the effect of generation,recombination and temperature gradient of carrierson the characteristics of devices are considered.An improved mobility model is also proposed.The numerical results of micron and submicron MOSFETs show that the present model fitsexperiment very well.