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71.
金属包覆平板波导模式特性的有限元法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
采用有限元法(FEM)分析了具有复数折射率的金属包覆介质波导的模折射率与模场分布情况。计算了具有损耗层的6层介质平板波导模折射率,并与解析解比较,二者有较好的一致性;分析了金属包覆3层平板波导中TM模折射率与波导芯厚度的变化关系,计算了金属包覆5层平板波导中TM模折秧经与金属层厚度的变化关系,并结合对模场分布的分析对模式进行了定性判断,给出了其模式演变过程。 相似文献
72.
掺铒光纤放大器(EDFA)和拉曼放大器(FRA)的使用,使得光纤通信系统中的入纤功率有了很大的提高.较高的入纤功率不仅会在光纤中引起各种非线性效应,对光脉冲的传输产生影响,也会对光纤本身的可靠性产生影响,为此介绍了高入纤功率对光纤系统的影响,分析了其产生的机理,并提出了应对措施. 相似文献
73.
74.
脉冲电镀最佳参数之探索和优化 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用正交实验法对脉冲电镀各控制参数进行试验,对影响分散能力、镀层可靠性及外观质量的各种因素进行探讨,寻找影响外观质量的显著因子并加以控制,同时进一步优化脉冲电镀的工艺参数。 相似文献
75.
介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。 相似文献
76.
多模干涉型集成光学器件研究进展 总被引:4,自引:1,他引:3
基于自镜像效应(SIE)的多模干涉(MMI)型集成光学器件是集成光学中具有广泛用途的重要器件。本文详细而系统地综述了近几年来MMI器在国内外的研究进展,特别是其在集成光学中的应用。 相似文献
77.
提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析. 相似文献
78.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
79.
自适应RBF神经网络在CDMA移动通信上行链路功率控制中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种自适应RBF神经网络功率控制方案。详细研究了该网络在DS-CDMA通信中,进行上行链路闭环功率控制(基于信扰比(SIR))的应用理论,给出了该网络参数的计算方法。最后用计算机仿真法模拟出该控制器的运行性能。结果表明基于SIR的自适应RBF神经网络功率控制器能自适应地调整移动台的发射功率,使基站接收信号的信扰比始终非常接近于一个常数,且有比定步长功率控制更小的SIR跟踪误差,从而可以降低接收信号的中断概率、提高信道容量。 相似文献
80.