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本文根据弱耦合函数理论,设计制作了圆波导TM0n到3cm波段矩形波导TE10模的选模定向耦合器用于高功率微波的测量系统,理论设计与实际测量结果与理论吻合较好 。 相似文献
182.
大气湍流对有限带宽波前补偿系统的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高灵敏度湍流探空仪的测量结果,给出了几种典型情况下大气湍流的特征模式。着重讨论冬、夏两季平面波通过大气湍流对有限带宽的自适应光学补偿系统的影响。分析了当自适应光学闭环的频率响应传递函数为H(f)时,不同带宽波前系统的补偿效果。结果表明:当系统带宽为40Hz时,Strehl比可高于0.85。冬季虽高空风速强于40m/s,但Strehl比没有显著减小。 相似文献
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The effects of post-process rapid thermal annealing (RTA) treatment after device fabrication on direct current, microwave and power performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with a gate-length of 0.2 μm were fully investigated. By 3 min post-process RTA treatment at 350 °C under N2 atmosphere, the direct current (DC), radio frequency (RF) small signal and power performances of AlGaN/GaN HEMTs have been much improved. The output power, power gain and power added efficiency (PAE) of GaN HEMT device with gate wide of 1 mm increase from 37.09 dBm, 6.09 dB and 42.79% to 38.22 dBm, 7.22 dB and 67.3%. The post-process RTA after device fabrication has two merits. On the one hand, it improves passivation effect of SiNx dielectric layer on AlGaN/GaN HEMT surface, suppressing RF current dispersion. On the other hand, it helps recover dry-etch damage at the Schottky metal/AlGaN interface, leading to reduction of reverse Schottky leakage current. 相似文献
188.
发展高电压等级真空断路器的技术问题探讨 总被引:9,自引:1,他引:9
本文对发展高电压等级真空断路器的关键技术问题,如触头材料,灭弧室耐压特性、电弧特性、弧后特性、波纹管设计及触头运动特性等进行了探讨,可为高电压等级真空断路器的设计提供依据。 相似文献
189.
文章叙述了实现ATM业务流控制的一些可行的方法,即应用模糊控制技术来控制呼叫路由,用神经网络技术来预测输入业务流实现动态带宽分配控制、以及用神经网络技术实现业务呼叫的带宽分配控制。 相似文献
190.