集成电路发展趋势及市场分析

电子整机厂与ＩＣ企业和相关配套厂都十分关注ＩＣ的发展动态与市场，本文概述了ＩＣ技术发展趋势，产品发展方向，国内现状，市场前景可供有关企业，院校，研究所决策时参考，也可作ＩＣ规划的依据。     

Rb(62D)原子与基态Rb原子,H2分子碰撞转移截面

本文用荧光法测量Rb(6²D)原子与基态Rb原子,H₂分子碰撞转移截面。结果表明:Rb(6²D)-Rb(5²s)转移截面为σ_fs=67×10^-14cm²,σ_tr=4.3×10^-14cm²,Rb(6²D)—H₂转移截面为σ_fs 关键词：     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）

用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。     

Ka波段E面和H面90°弯接头的设计

详细介绍Ka波段E面和H面弯接头的设计过程.该弯接头体积小、重量轻、性能良好,可广泛用于8mm弯波导的设计之中.     

光接入网标准化的新进展——参加1995年11月ITU-T第15研究组会议专题报告

简要介绍了ITU-T第15研究组刚刚完成的第一个有关光接入网(OAN)建议G.PONA的主要内容及其背景,重点讲述OAN的配置,传输技术,系统指标,ODN功能要求及信号延时。     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。     

半正定矩阵及矩阵方程AX=B的反问题

文从研究一类控制系统的实际背景提出对已知实向量x,b求满足Ax=b的对称正定阵A的一类反问题。文[2]与[3]研究了上述反问题在对称正定类、正定类中有解的充要条件及解的一般形式。本文讨论复矩阵方程 AX=B(1)(X,B为m×n阵,A为m×m阵)在半正定、正定、H半正定、H正定类中反问题有解的充要条件及其解集的一般形式。如无特别申明,本文总考虑复矩阵和复向量,其共轭转置用“*”表     

苯对N,N-二甲基甲酰胺化合物~1H NMR的影响研究

本文研究了N,N-二甲基甲酰胺(DMF)在四氯化碳和苯混合溶剂中的~1H NMR。观察到N,N-二甲基甲酰胺(DMF)分子中两个甲基和混合溶剂中苯的共振吸收峰的化学位移随苯的摩尔分数增加而逐渐移向高场,而且两个甲基共振吸收峰向高场移动的程度不同,α甲基较β甲基为甚。DMF分子中两个甲基和混合溶剂中苯的化学位移可以用线性方程表示(δ=A+Bx),这里x是混合溶剂中苯的摩尔分数。相关系数R接近于-1。     

钯作基体改进剂FIA－HG－GFAAS法测定锗及其机理研究

采用钯，钯－镁作基体改进剂，ＦＩＡ－ＨＧ－ＧＦＡＡＳ法成功地测定了锗。灵敏度、精密度和分析速度都得到很大的提高。峰值吸收的特征质量８．０ｐｇ，检出限１０．９ｐｇ，相对标准偏差０．３４％，同时探讨了基体改进剂钯的稳定作用机理及锗在石墨管中的原子化机理。