钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜

利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ_３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ_３薄膜．ＬａＡｌＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ_３衬底上的ＰｂＴｉＯ_３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极，测量显示直接生长于硅衬底上的ＰｂＴｉＯ_３多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词：     

等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应

以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I⁺离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词：     

实现多层混合刻蚀薄膜大面积均匀的方法浅探

采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法，刻蚀高Ｔｃ超导ＹＢａＣｕＯ／ＺｒＯ２（１００）薄膜图形，取得了较好的结果。在进行氩离子镜的工艺步骤中，使用普通氩离子铣设备（离子束斑极不均匀），但采取了一定的措施─－使被刻样品在刻蚀台座上可移动，模糊地实现了薄膜的相对＂大面积＂（直径φ≥２０ｍｍ）均匀刻蚀─－可同时刻蚀２～３片６ｍｍ×１０ｍｍ薄膜，并且被刻蚀部分表面起伏约在１０ｎｍ左右。图形样品的最小线条达２μｍ，其Ｔｃ、Ｊｃ人与刻蚀前薄膜的Ｔｃ、Ｊｃ相当，即：ＴＣ为８５～９０Ｋ，Ｊｃ～１０６Ａ／ｃｍ２（在７７Ｋ下）。     

意外惊喜七喜H797

说到七喜电子,其实曾经也出过手机,只是不太出名罢了,目前该公司卷土重来,最近发布了H797这款旗舰产品,其目的就是要和市场上众多的多媒体手机 一较高下。那么,这款官方号称DV手机的H797,到底有哪些过人之处呢？且听笔者 一一道来。[编者按]     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

一个Hilbert型积分不等式

通过估算权函数，建立一个含参数的具有最佳常数因子的Hilbert型积分不等式．同时建立它的两种最佳推广式及相应的等价形式．     

Lamp Metro

如果爱迪生奇迹般地活到今天，他可能打死也不会相信Lamp Metro会是一只灯。像卷透明胶布的Lamp Metro由3M OLF薄膜制成．当你要使用它时．握住两头的把手将其拉直再通电．Lamp Metro就能像一只普通的日光灯管那样．存在于家里的任何一个角落了。你惟一要考虑的事就是将它放在哪里：墙上、天花板或者是地板上……