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361.
Zhang KD Zhao X Wang GT Liu Y Zhang Y Lu HJ Jiang XK Li ZT 《Angewandte Chemie (International ed. in English)》2011,50(42):9866-9870
Slip sliding away: Foldamers can function as modular stoppers to regulate the slippage and de-slippage of pseudorotaxanes and the switching kinetics and metastability of bistable rotaxanes. By simply changing the solvent or the length of the hydrogen-bonded foldamer, the lifetime of the metastable co-conformation state can be increased dramatically, from several minutes to as long as several days. 相似文献
362.
363.
364.
Yilun Liu 《Journal of the mechanics and physics of solids》2011,59(8):1613-1622
Graphene nanostrips with single or few layers can be used as bending resonators with extremely high sensitivity to environmental changes. In this paper we report molecular dynamics (MD) simulation results on the fundamental and secondary resonant frequencies f of cantilever graphene nanostrips with different layer number n and different nanostrip length L. The results deviate significantly from the prediction of not only the Euler-Bernoulli beam theory (f∝nL−2), but also the Timoshenko's model. Since graphene nanostrips have extremely high intralayer Young's modulus and ultralow interlayer shear modulus, we propose a multibeam shear model (MBSM) that neglects the intralayer stretch but accounts for the interlayer shear. The MBSM prediction of the fundamental and secondary resonant frequencies f can be well expressed in the form f−fmono∝[(n-1)/n]bL−2(1−b), where fmono denotes the corresponding resonant frequency as the layer number is 1, with b=0.61 and 0.77 for the fundamental and secondary resonant modes. Without any additional parameters fitting, the prediction from MBSM agrees excellently with the MD simulation results. The model is thus of importance for designing multilayer graphene nanostrips based applications, such as resonators, sensors and actuators, where interlayer shear has apparent impacts on the mechanical deformation, vibration and energy dissipation processes therein. 相似文献
365.
366.
利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。 相似文献
367.
设计了基于正三角排列三芯光纤的新型波分解复用器,比起基于多芯光子晶体光纤的波分解复用器,该波分解复用器有着容易制作、且易于与常规光纤对接的优点。通过设计使两个非对称平行纤芯在某波长处的传播常数(或有效折射率)匹配,此时两个纤芯就可完全耦合,从而实现滤波。通过选择合适的光纤长度,使得在光纤的输出端,不同波长的光从不同的纤芯端口输出,从而实现波分解复用的功能。利用全矢量光束传播法仿真发现,长度为10.25 mm的正三角排列三芯光纤可以实现波长为1.31μm和1.55μm光波的解复用。 相似文献
368.
全光铯(Cs)原子磁力仪是一种高灵敏度弱磁检测装置,核心器件Cs原子气室中通常充入适量的缓冲气体避免被极化原子扩散至器壁引起壁碰撞弛豫,同时缓冲气体压强值将影响抽运光的工作频率。介绍了全光Cs原子磁力仪的工作原理,分析了Cs原子气室中充入1.333×104Pa He缓冲气体时,抽运光工作频率对原子磁力仪灵敏度的影响,并采用速率方程计算了不同抽运光频率下的原子极化率。当抽运光频率锁定在Cs原子D1线F=3→F′=4共振线,检测光频率锁定在Cs原子D2线F=4→F′=5共振线时,原子磁力仪可达到最佳灵敏度。 相似文献
369.
硫系玻璃微纳光器件研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
微纳光器件是指尺寸在微纳米量级的光学器件,具有体积小、可靠性高、耦合效率高、重量轻、设计灵活、易于集成等优点。硫系玻璃作为一种新型的微纳光器件基质材料,具有优良的红外透过性能、极高的非线性系数、较小的双光子吸收系数、超短的非线性响应时间以及组分可调等优势。近年来硫系微纳光器件研究备受关注。回顾了硫系玻璃微纳光器件的研究历程,综述了硫系微纳光纤、微球、光子晶体、微环等几种微纳光器件的研究和发展状况,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
370.
通过研究波导两侧缺陷处的折射率对二维光子晶体波导透射光谱的影响,提出一种提高折射率传感器灵敏度的方案。计算结果表明光子透射带上边沿的偏移量与传感区折射率的大小存在一定关系,在相同的折射率变化量下通过改变波导两侧缺陷处圆孔的相关几何参数可极大提高光子透射带上边沿的偏移量,即提高折射率传感器的灵敏度。通过优化设计,传感器的灵敏度由折射率变化区间0.0~1.0的55 nm/RIU(RIU表示折射率单元)与1.1~2.0的36 nm/RIU分别提高到对应的405 nm/RIU以及222 nm/RIU。 相似文献