粘结剂形态及尺寸对QFN器件热应力的影响

使用有限元软件MSC.Marc分析了芯片粘结剂的形态、厚度和宽度对典型微电子封装QFN(四方扁平无引脚封装)器件热应力的影响。结果表明:在有限元网格密度相同的条件下,粘结剂形态的不同会对QFN器件的热应力产生较大影响,粘结剂无溢出形态的最大热应力为85.87MPa,而粘结剂有溢出形态的最大热应力为77.84MPa,并且最大热应力出现的位置也不同;粘结剂的厚度和宽度对热应力的影响不明显;由于粘结剂形态的不同界面热应力的分布会有较大差别。     

Characteristics of a GaN-based Gunn diode for THz signal generation

A generalized large-signal computer simulation program for a Gunn oscillator has been developed.The properties of a Gunn diode oscillator based on the widely explored GaN,are investigated using the dev...     

屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理

提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3Es升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.     

透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺研究

透射式GaN阴极组件是GaN紫外日盲型探测器的最关键部件之一。介绍了制备透射式GaN阴极组件的工艺难点,主要报道了透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺的原理和研制过程,并着重分析了热压粘结工艺中出现的问题,同时提出了拟定的解决方案。     

世界半导体业两年内计划建设150条生产线

SEMI(国际半导体设备和材料协会)日前发表一份名为SEMI's World Fab Forecast的报告称,2010～2011年2年内世界半导体业将共投资830亿美元,计划建设150多条生产线,涵盖大/小产能的晶圆厂、MEMS以及包括LED在内的分立器件厂。     

TMS320C672x系列浮点DSP的EMIF研究与应用

针对如何灵活应用高性能32/64位浮点DSP TMS320C672x提供的性能优良的外部存储器接口(EMIF),分析了EMIF的特点和使用技巧,以TMS320C6722B型DSP为例,设计了EMIF与外部HY57V281620A型SDRAM和异步AM29LV80OBB-90EC型Flash的硬件接口,并分析了EMIF访问SDRAM和Flash时各控制寄存器配置的方法和具体步骤,列出了该配置命令下EMIF引脚与逻辑地址的对应关系和具体的软件编写例程;同时讨论了通过EMIF并行模式实现二次Boot的原理和方法,提出了在主程序直接烧写和用常用的FlashBurn工具烧写Flash的两种方法,并分析了二者的优缺点.实验证明,此研究方案设计合理、可靠并易于实现,针对TMS320C672x系列DSP具有通用性和可行性.     

基于FPGA用于热疗的系统设计

FPGA系统用于热疗方面的原理是利用物理能量加热人体全身或局部,使某些组织温度上升到有效治疗温度,并维持一定时间,利用正常组织和肿瘤细胞对温度耐受能力的差异,达到既能使肿瘤细胞凋亡、又不损伤正常组织的治疗目的。实验表明,在42℃区域,温度差1℃就可以引起细胞存活率的成倍变化。因此,热疗中能否准确测温和精确控制温度是取得疗效的关键。文章主要针对热疗系统的温度测控进行研究,设计一种基于FPGA用于热疗系统中的温度控制系统。通过程序控制来实现热疗过程中肿瘤组织温度的动态实时监测与高精度智能控制,以较高的温度控制精度来保证热疗的疗效。     

全新20V NPN及PNP双极晶体管

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。