平行电磁场中H-光剥离电子轨道分岔现象的研究

当改变能量、位置或场强等参数时,电磁场中里德堡态的原子、分子和离子等体系将出现分岔现象,从而导致波函数在分岔点附近发散,半经典闭合轨道理论不再适用.本文分析并计算了平行电磁场中的H-光剥离电子轨道的分岔现象,并采用统一近似的方法进行定域修正,从而消除了分岔点的奇异性,得到了合理的光剥离电子流的分布.     

一类多项式系统极限环的讨论

文[1]研究了二次系统证明了当ad≤0或ad≥3时,(E_2)无围绕原点的极限环,当0相似文献   

有Edgeworth展式的分布的随机加权逼近的重对数律

本文研究了未知分布的逼近问题，利用随机加权法，给出了有Edgeworth展式的一类（未知）分布的模拟分布，证明了在一定条件下，模拟分布与未知分布的逼近精度达到O(n^-1√lnlnn），称之为随机加权逼近的重对数律。     

伯努利数和二项分布及超几何分布的快速计算

本文利用伯努利数建立了二项分布值和超几何分布值的快速计算公式，这些公式计算的结果精确度高，而且非常便于计算机编程．     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

相型同步启动时间的M／M／c排队系统

本文研究带有同步启动时间的Ｍ／Ｍ／ｃ系统，其中启动时间是相型变量，给出了稳态和等待时间分布等结果。     

天然树脂局部结构的径向分布函数研究

本工作用x射线衍射技术分析计算了二种天然树脂的局部结构参数,由测得的衍射强度数据求出了它们的结构因子I(r)和径向分布函数RDF(r),并由此得到了分子链内临近原子和次临近原子平均间距、配位数和短程有序畴。     

Controllable Magnetic Focusing of Cold Atoms on a Chip

We propose a new lens scheme to focus cold atoms by using a controllable inhomogeneous magnetic field from a square current-carrying wire fabricated on a chip. The spatial distributions of the magnetic field are calculated, and the results show that the generated magnetic field is a two-dimensional （2D） quadrupole one and can be used to focus cold atoms or a cold atomic beam. The dynamic processes of cold atoms passing through our square wire layout and its focusing properties are studied by using Monte Carlo simulations. Our study shows that the atomic clouds can be focused effectively by our magnetic lens scheme, and the focal length of the atomic lens and its radius of focused spot can be continuously changed by adjusting the current in the wires.     

激光区熔再结晶SOI的杂质分布与迁移率研究

本文介绍一种确定ＳＯＩ／ＭＯＳ结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法（其掺杂剖面是随机不均匀的）。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的ＳＯＩ结构和ＳＯＳ结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见，在包含有晶粒间界和子晶粒间界的ＳＯＩ薄膜中，沿膜厚的载流子迁移率是恒定的，而且远远超过ＳＯＳ膜中的迁移率。