30～512MHz,100W线性功率放大器极间匹配设计

设计了一种独特的极间匹配网络,使驱动放大器的输出阻抗直接匹配到末级放大器的输入阻抗,而不通过极间50Ω匹配转换。应用这种极间匹配网络,提高了30～512 MHz,100 W功率放大器的线性输出功率和效率,同时简化了匹配网络,减少了匹配元件,缩小了功率放大器的体积。这种极间匹配网络是通过集中L、C匹配网络与宽带同轴传输线变压器相结合实现的。应用ADS软件模拟以及计算集中L、C元件的值和同轴电缆的长度,使设计的极间匹配网络在近十个倍频程的频带内获得最佳性能。     

一种低复杂度的MIMO-OFDM信道估计新方法

该文基于m序列设计了一种适合多天线收发-正交频分复用(MIMO-OFDM)系统的时域信道估计新方法.在时域OFDM符号之间插入附加循环前缀(CP)的m序列作为训练序列,在接收端将去掉循环前缀的接收序列与指定的循环移位m序列作相关运算,然后利用m序列的二值自相关特性获得信道的冲激响应估计,从而得到信道的频率响应估计.理论分析和仿真结果都表明:在频率选择性信道中,新方法在系统开销小、计算复杂度低的情况下可以取得比传统算法更好的性能.     

阻容加载偶极天线的宽带性能及效率分析

从工程应用出发,提出同时具有分布电阻,集中电容以及同时具有集中电阻、电容这两种加载偶极天线理论分析模型,推导了对应的电流积分方程,并用分级正弦伽略金方法进行数值计算。给出了天线电流分布,输入阻抗,方向图及效率的计算结果,并与纯分布电阻加载天线进行了比较。分析表明,所讨论两种模式阻容加载天线的效率较分布电阻加载天线高,但其宽带性下降了。     

一种便携式光纤功率计的设计方法

介绍了一种便携式光纤功率计设计的硬件结构和软件流程,给出了其标定方法和实测性能指标。该光功率计采用InGaAs材料的光电探测器实现光电信号的转换,满足了光纤功率计对波长范围和测量精度的要求;采用高性能运放TLC2652和18位的A/D转换芯片MAX132以保证测量精度;选用高速单片机AT89C52来控制信号的检测、处理以及数据的显示,在确保运算速度的同时使光纤功率计具有多波段响应、量程自动转换、测量精度高的特点。实测的性能指标表明该光功率计达到了设计要求,在光信息、光通信等领域具有广泛的应用前景。     

激光辐照PC型HgCdTe探测器的实验研究

分别用连续波1.319μm激光和10.6μm激光辐照PC型HgCdTe红外探测器时,得到了不同辐照光功率密度下,探测器输出的一系列实验结果。给出了在波长为1.319μm的波段内激光辐照下PC型HgCdTe探测器的饱和阈值;用波长为10.6μm的波段外CO2激光辐照探测器时,发现了一些与波段内激光辐照探测器时大不相同的实验现象;对实验结果进行了分析。简要总结了PC型HgCdTe探测器对于波段内和波段外激光辐照的响应机制。     

单层2H-MoTe2光电效应的理论研究

材料的禁带宽度是影响光电探测器探测范围的重要因素.单层2H-MoTe2因具有合适的禁带宽度引起了科研人员广泛的研究兴趣.本文基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,研究了单层2H-MoTe2的光电效应.结果表明:在线性偏振光照射下,MoTe2产生的光电流函数与唯象理论相吻合;在光子能量范围1.6～1.8...     

ADF4111在锁相式频率源中的应用

为了得到射频接收机中稳定的频率源,设计了一种以ADF4111为核心的锁相式频率源,采用单片机进行控制。介绍了锁相环芯片ADF4111的基本结构、工作原理及其编程控制过程,同时介绍了环路滤波器和压控振荡器的设计。测试表明该频率源的工作频率为754 MHz～764MHz,频率步进为100kHz,相位噪声优于-90dBc/Hz@10kHz、-110 dBc/Hz@100kHz,输出功率为6dBm。     

米波雷达应对多路径效应的系统设计

随着国内外隐身飞行器装备的迅速发展,米波雷达再次成为雷达领域研究的热点之一。米波雷达具备阵元少、隐身目标反射面积大、可靠性高、成本低等优势,但基于米波频段较低的特点,俯仰维度波束宽度较宽,易受多路径影响,从而对米波覆盖空域、测高精度等性能产生了影响。结合当前数字阵列雷达技术发展,从米波雷达系统设计的角度,针对提高米波测高精度、空域覆盖连续性的设计方法进行分析,同时针对将多输入多输出等新技术融入到米波雷达设计中来应对多路径问题的可行性进行分析。     

一种用于时钟数据恢复的宽带锁相环设计

锁相环广泛应用于电信、光收发器、数据存储局域网以及无线产品中,本文提出了一种新颖的应用于时钟数据恢复的锁相环设计,包括鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、换挡电路、压控振荡器以及环路状态检测电路的设计,该结构能够很好的应用于输入数据流变化范围极宽（20Mbps-2.5Gbps）的时钟数据恢复系统。设计采用了一种单供电电压的0.18um CMOS工艺,并给出Cadence环境下仿真结果。     

6H-SiC单极功率器件性能的温度关系

基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性