基于脉动阵的自适应波束形成算法仿真

为了满足自适应波束形成技术对实时性的要求,将脉动阵应用于波束形成算法中,以实现自适应权向量的实时获取.通过对QR分解采样矩阵求逆算法、混合型QR分解采样矩阵求逆算法和逆QR分解采样矩阵求逆算法的理论分析,利用脉动阵,对输入数据矩阵进行QR分解,得到旋转因子,实现自适应权向量的实时更新.针对三种算法各自的脉动阵进行仿真,结果表明,基于脉动阵的自适应波束形成算法实现了权向量的高速获取,并为后续的工程实践提供了理论依据.     

一种超低副瓣的曲面的天线阵的分析与设计

园柱共形DBF天线阵中,由于天线阵中各个分天线不在同一平面上,边缘的分天线存在相当程度的绕射,这种绕射使得在进行DBF合成时,天线的方向图比较容易出现高的栅瓣.本文通过分析表明,低的副瓣与需要合成的部分分天线构成的圆心角以及分天线的反射板的尺寸有重要的关系.     

基于锥形麦克风阵列的语音增强技术研究

针对强噪音环境中小体积应用场合下的语音增强,设计了一种基于锥型麦克风阵列结构的语音增强方法。该方法充分利用锥形结构中锥底麦克风阵列对锥顶麦克风的良好噪声抵消性能,结合端点检测器和两级自适应滤波器设计的多通道抗串扰噪声抵消算法,实现了强噪音环境中的语音增强。理论分析和仿真验证了锥形结构设计的合理性和优越性,仿真结果表明,改进的多路抗串扰噪声抵消算法应用于此锥形结构的麦克风阵列中可提高语音信号的信噪比,对语音的损伤小,在强噪音环境中语音增强效果显著。     

基于FPGA的简易触摸电子琴设计

简易触摸电子琴是以FPGA芯片作为系统控制核心,通过数控分频的原理实现音乐自动播放、琴键演奏的功能,有限状态机实现触摸控制和LCD显示驱动,再采用友晶科技的4.3寸液晶触摸显示屏(LTM)完成简易触摸电子琴模式选择控制和琴键显示控制。在DE0-Nano FPGA(Altera CycloneⅣ)开发板上的测试表明,所设计的低成本简易触摸电子琴可以实现触摸控制弹奏和自动播放乐曲的功能,同时具有较高的实用价值。     

波导窄边斜缝行波阵列天线设计

为了快速设计波导窄边斜缝行波阵列天线,采用理论计算结合软件仿真的方法。利用电磁仿真软件HFSS模拟实验过程,得到裂缝电导函数。初始设计完成后,比较仿真结果口径分布和理论口径分布的差异,微调裂缝尺寸参数使天线口面幅度逼近设计值。设计了一个47阵元行波线阵,并采用两根波导对称放置抑制交叉极化。Taylor综合副瓣值为-30 dB,仿真得到的最大副瓣值为-24.8 dB,波瓣宽度为2.2°,增益为24.6 dB。     

全自适应数字阵列的近场测试

在模拟阵列近场测试基础上,对全自适应数字阵列的近场测试进行研究,结合全自适应数字阵列的特点,采用多通道并行处理等技术,对近场测试系统进行全面升级,从而解决全自适应数字阵列的测试难题。另外,为了解决干扰抑制零深评估的难题,采用改进后的近场测试系统,对自适应响应波束进行测试,从而得到真实的干扰抑制零深。仿真和实验结果表明,改进后的近场测试系统能完成全自适应数字阵列测试,从而实现了对全自适应数字阵列的全面评估。     

导弹电子突防及雷达对抗技术

为了对抗从主瓣进入的噪声压制干扰和假目标欺骗干扰,文中分析了导弹空防的现状及有源无源的干扰,提出了采用欺骗诱饵分散干扰机功率、多频段雷达多站协同工作、有源/无源雷达协同工作、数字阵列雷达阵面动态分割技术、双/多基地雷达空域对抗等抗干扰手段,并给出了多功能欺骗诱饵系统设计方案。     

雷达阵地杂波测量和动态STC建立方法

针对雷达杂波抑制同时兼容小目标探测的难题,通过与静态数字灵敏度时间控制(STC)效果比较,指出采用动态STC是解决此问题的基础,也是雷达性能阵地优化的有效手段。文中给出了模拟相控阵雷达利用接收机对放通道压缩回波幅度,完成阵地杂波轮廓图测量和推算动态STC的方法;对于数字阵列雷达采用接收机通道增益顺序控制建立与阵地杂波相关的动态STC,并与理论STC比较,得到最终动态STC的方法。     

基于多普勒信息的NSHT航迹起始方法

针对临近空间高超声速目标航迹起始困难的问题,依据超视距雷达能够提供目标精确多普勒信息的特点,从径向速度、径向机动能力和角速度3个方面推导了航迹起始约束条件,文中给出了更为精确的相关波门设计方法,通过目标运动特性确定最终航迹。仿真结果表明,该方法能够有效起始临近空间高超声速目标航迹,且效果优于传统利用目标位置信息进行航迹起始的方法。     

基于ZnO纳米线阵列和P3HT的混合光电二极管特性

为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡(I TO) 玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列(ZNWA),然后在生长的ZNWA上旋涂规整的聚3-己 基噻吩(P3HT)层,形成结构为ITO/ZNWA/P3HT/Ag的光电二极管。系统研究了此光电二极管在 暗态和在太阳模拟器的光照下的电流-电压 (I-V)特性。实验结果表明,器件在暗态和光照下都表现出良好 的二极管特性。暗态下,在偏压±2V处的整流 率为3211, 理想因子为1.8、低开启电压为0.5V和反偏饱和电流为1．13×10－7 A。在20mW/cm²光照下,在偏压±2V处的整流率为39.1、开启电压为0.3V。器件中产生了大量的光生载流子,根据器件的能级结构图和光生载流子的 输运过程对此光电二极管的光响应机理进行了解释。