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41.
The use of photonic materials has been used in the theory of optical waves. The PBG (Photonic Band Gap) theory and material, was developed recently for optical frequencies and can be easily applied to millimeter waves, microwaves and planar antenna frequencies. The presence of photonic materials as substrate in antennas has some good characteristics such as, supression of light spontaneous emission and suppression of surface waves, allowing the application in planar antenna array. In this work an elaborate analysis using the full wave Transverse Transmission Line - TTL method, that provides efficient and concise results is applied to the planar antennas array with PBG substrate.  相似文献   
42.
X波段双极化有源相控阵天线的设计   总被引:4,自引:1,他引:3  
杜小辉  李建新  郑学誉 《现代雷达》2002,24(5):61-70,73
机载或星载X波段有源相控阵雷达系统具有很高的分辨率,由于雷达系统使用了大量双极化子阵组成的有源相控阵天线(俯仰面和方位面均需扫描),频率的升高使得子阵馈线网络的可用面积受到了很大的限制。本文着重论述了有源相控阵天线中的双极化阵设计,提出了一系列解决方法,进而叙述了整个天线阵的设计。  相似文献   
43.
利用垂直阵列构作了一类Cartesian认证码,计算了它们的参数,并且在编码规则按等概率分布选取时,成功的模仿攻击和成功的替换攻击概率也被算出。  相似文献   
44.
高精度CCD尺寸自动检测系统的光学系统设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
介绍测量精度为±0.003mm的CCD尺寸检测系统的光学系统设计特点及远心物镜设计原理,并给出了测试结果。  相似文献   
45.
本文提出了针对递归DSP算法的高层次系统综合流程,并以脉动(systolic)式处理器阵列结构实现.从DSP算法的FDDL行为级描述开始,经由编译及划分,产生数据相关流图(Data Dependency Graph),然后实现对算法流图的空间映射及时域规划,得到算法的信号流图(Signal Flow Graph),经时序重构,生成脉动阵列,最后实现对处理器单元的数据路径综合及控制器综合,并对处理器单元定位,本文同时提出了各设计阶段的算法策略及优化策略,并给出综合结果。  相似文献   
46.
用于X光激光实验的反射式线聚焦光学系统的设计和分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
冯国英  吕百达 《激光技术》1995,19(3):164-170
基于三维光线追迹的象差计算,对卢瑟福实验室用离轴球面反射线聚焦系统作了分析。然后,首次提出了用于X光激光实验的两类新的反射式线聚焦构型,即反射式光楔列阵和光锥列阵系统,并作了计算。最后,对所得结果作了比较和讨论。  相似文献   
47.
拖曳线列阵用光纤水听器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报道了光纤水听器用于拖曳线列阵的研究结果。在保证光纤水听器声相位灵敏度的前提下, 优化设计了光纤水听器的结构,降低了光纤水听器的加速度灵敏度36dB。实验测得在20-1600Hz 频段,该光纤水听器的相位灵敏度为-162.7dB,频段内灵敏度的起伏为±0.7dB,加速度灵敏度小于-30dB。  相似文献   
48.
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。  相似文献   
49.
赵毅  万星拱 《物理学报》2006,55(6):3003-3006
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词: 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量  相似文献   
50.
描述了紧凑型FLC(铁电液晶)光纤PDL(光子延迟线)模块的结构和运转特性;分析了插入损失;提出多信道运转时依赖于波长的设计方案。  相似文献   
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