镨掺杂分布对1.3μm光纤放大器特性影响

对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益，用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光纤放大器特性的影响，结果发现限制镨掺杂分布能改进光纤放大器的工作效率，且截止波长比芯层全部均匀掺镨的光纤更长。     

高精度CCD尺寸自动检测系统的光学系统设计

介绍测量精度为±０．００３ｍｍ的ＣＣＤ尺寸检测系统的光学系统设计特点及远心物镜设计原理，并给出了测试结果。     

InGaAsP/InP有源双稳放大器的实验研究

本文报导了室温下F—P型InGaAsP/InP双异质结半导体激光放大器的双稳态效应,放大器的增益为20dB。     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

被动锁模复合环形腔掺饵光纤激光器的自启动分析

本文对被动锁模复合环形腔掺饵光纤激光器的自启动工作特性进行了分析，指出谐振腔内残余反射面的存在是阻碍激光器实现自启动锁模的主要原因。利用半导体激光器有源区的折射率随注入电流的变化而改变的特性，在谐振腔中获得了一个可移动腔镜，克服了腔内残余反射面的影响，实现了锁模的自启动。     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。     

深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶及其分子工程学探索方法

阐述了紫外无机非线性光学晶体分子工程学探索方法的基本特点，具体分析深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶（ＳＢＢＯ）以氟硼铍酸钾（ＫＢＢＦ）为主要参考晶体的分子设计方法，随后根据晶体结构研究、单晶培养、和非线性光学性能测定等实验结果讨论ＳＢＢＯ作为新型深紫外无机晶体的主要优点，即它既具有更短的紫外吸收边（接近１５５ｎｍ）和较大的非线性光学系数（ｄ２２（ＳＢＢＯ）＝０６×ｄ２２（ＢＢＯ）＝１３８ｐｍ／Ｖ），同时晶体无明显层状习性，并肯有良好的化学稳定性和机械性能     

掺杂染料的向列相液晶微粒材料的非线性光学研究

对布满液晶微粒的聚合物(PDLC)进行了简并四波混频及光学双稳态的研究,并在文中对相关的PDLC中的分子重取向和热效应的非线性光学效应进行了讨论.     

Optical current transducer with bulk type Bi12SiO20 faraday sensor for power systems

Two types of optical current transducers (OCTs) have a bulk Faraday sensor inserted into the gap of an iron core and a porcelain insulator with optical fiber. The sensor consists of Bi₁₂SiO₂₀ (BSO) single crystal, a polarizer, and an analyzer. The OCTs satisfied the target performance requirement for fault location and metering and demonstrated maintained performance at some power utilities in Japan and the US. We have developed a fault location system that immediately detects the fault current with the OCTs, there by locating the fault section. The OCT can easily replace the existing support insulators for the disconnecting switch without any modifications to structure height or bus-bar. For metering requiring 0.3% class accuracy, use of a BSO with right optical rotatory power combined with BSO with left optical rotatory power results in a Faraday sensor with improved temperature characteristics. The OCT demonstrated 0.3% class accuracy for metering described in the current transformer Specifications of IEEE C57–13, 1993.