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71.
The Lombardo–Imbihl–Fink (LFI) ODE model of the NO+NH3 reaction on a Pt(1 0 0) surface shows stable relaxation oscillations with very sharp transitions for temperatures T between 404 and 433 K. Here we study numerically the effect of linear diffusive coupling of these oscillators in one spatial dimension. Depending on the parameters and initial conditions we find a rich variety of spatio-temporal patterns which we group into four main regimes: bulk oscillations (BOs), standing waves (SW), phase clusters (PC), and phase waves (PW). Two key ingredients for SW and PC are identified, namely the relaxation type of the ODE oscillations and a nonlocal (and nonglobal) coupling due to relatively fast diffusion of the kinetically slaved variables NH3 and H. In particular, the latter replaces the global coupling through the gas phase used to obtain SW and PC in models of related surface reactions. The PW exist only under the assumption of (relatively) slow diffusion of NH3 and H.  相似文献   
72.
A rigorous formulation of capacitance changes during trap filling processes is presented and used to accurately determine the electron capture cross section of EL2 in GaAs at a particular temperature, 377K, in this case. The value, σn (377K) = 2.7 × 10−16 cm2, is compared with that predicted from the emission dependence.  相似文献   
73.
光纤光栅最佳切趾函数的研究   总被引:6,自引:2,他引:4  
黄雯  韩一石等 《光电子.激光》2002,13(12):1247-1251
采用耦合模理论,给出了用传输矩阵法计算光纤Bragg光栅(FBG)特性的方法,进而得到了在不同切趾函数形式下的FBG反射谱的数值解。通过理论分析,给出了最佳切趾函数反射谱和群时延特性曲线。  相似文献   
74.
75.
直线加速器驻波腔中的瞬态束流负载效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
在高能加速器中, 随着单个束团和束团串中电荷量的提高, 当粒子束穿过加速腔的时候, 感应出的瞬态束流负载电压也越来越高. 但是, 在通常分析束流负载的时候, 往往对稳态束流负载研究的比较多, 而对瞬态束流负载的研究要相对少一些. 本文首先对束流负载的瞬态特性和束团穿过加速腔时高频源所看到谐振腔谐振频率的变化方式进行了分析, 然后又对两种情况下谐振腔的最优失谐条件进行了讨论, 并给出了相应的解析公式. 在第1种情况下, 当粒子束穿过加速腔的时候, 谐振腔的自然谐振频率能够及时地得到调节, 从而使高频源的电流与谐振腔的腔压同相, 以提高高频源的效率; 在第2种情况下, 当粒子束穿过加速腔的时候, 谐振腔的自然谐振频率保持不变, 不能被调节. 最后, 还对BEPCⅡ现有预注入器的预聚束腔、BEPCⅡ未来预注入器的两个次谐波聚束腔中的瞬态束流负载效应进行了分析.  相似文献   
76.
TFT LCD的过压驱动技术探讨   总被引:2,自引:2,他引:0  
苗延盛 《液晶与显示》2007,22(6):757-760
过压驱动技术是提高液晶显示器响应速度的关键技术之一。文章分析了TN型TFT液晶显示的原理及影响响应时间的因素,探讨了过压驱动的原理和系统结构,对灰阶亮度上升和下降两种状态下的应用进行了说明。对液晶显示系统进行了实验分析以及响应时间的测量,结果表明通过过压驱动可以在很大程度上提高液晶显示器的响应时间,有效改善显示画面的动态模糊问题。在0℃的环境温度下,最大灰阶响应时间不超过80ms。  相似文献   
77.
《Electroanalysis》2006,18(10):947-954
In this work, for the first time a fast continuous cyclic voltammetry was used as a highly sensitive detection method for Penicillin G in a flow‐injection system. A special computer‐based numerical calculation method (using Fast Fourier Transformation) is introduced here for enhancing the analyte signal and noise reduction. During the measurements, the potential waveform (consists of potential steps for cleaning, stripping and potential ramp) was continuously applied on an Au disk microelectrode (with a radius 12.5 μm in radius). The stripping time was less than 200 ms. Effects of rest potential, sweep rate, and delay time on the sensitivity of the method were investigated. The limit of detection of the method was 1.0 × 10?11 M. The detection limit of the method is 660 times lower than the most sensitive reported method. The relative standard deviation of the method at 1.0×10?7 M of Penicillin G was 2.7% for 10 runs.  相似文献   
78.
Polydorou and Capsalis [1] pioneered the concept of POCA distribution to study the statistical behavior of the fast fading characteristics in an indoor environment under the assumption of finite number of scatters. In this note, we derive a comprehensive class of formulas for the POCA distribution to help better statistical modeling of the fast fading characteristics. The calculations involve use of several special functions and their properties.  相似文献   
79.
葛仙米对丁草胺胁迫的响应   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了丁草胺对可食用蓝藻葛仙米(Nostoc sphaeroides)生理和代谢活性的影响.用不同浓度的丁草胺处理葛仙米,结果显示低浓度(5 mg·L-1)丁草胺使其光合作用、呼吸作用和光合系统Ⅱ活性增强,高浓度丁草胺(>5 mg·L-1)限制其光合作用、呼吸作用和光合系统Ⅱ活性.同时丁草胺对葛仙米膜结构和功能具有破坏作用,随着丁草胺处理浓度增大,质膜透性不断增大,丙二醛和超氧自由基阴离子含量升高;在低浓度丁草胺处理时,类胡萝卜素含量增加,超氧化物歧化酶(SOD)活性增强,高浓度丁草胺处理时,类胡萝卜素含量降低,SOD活性下降;表明葛仙米对低浓度的丁草胺胁迫具有一定的耐受能力,但高浓度的丁草胺对其生理和代谢构成威胁;针对目前葛仙米野生生境中丁草胺的用量,建议限制丁草胺在葛仙米产地的使用,以保护日益稀缺的葛仙米资源.  相似文献   
80.
杨德永 《微电子学》1993,23(2):55-59
本文用频响特性与试验研究相结合的方法,对三个微电子产品实例进行模拟,讨论了如何设计补偿元件,防止自激振荡,保证闭环稳定且满足各项性能指标要求的问题。  相似文献   
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